Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения Full article
Journal |
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Output data | Year: 2019, Volume: 109, Number: 2, Pages: 112-117 Pages count : 6 DOI: 10.1134/s0370274x19020097 | ||||||||
Authors |
|
||||||||
Affiliations |
|
Funding (1)
1 | Russian Science Foundation | 14-19-00192 |
Abstract:
В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn 21. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO2 и La2O3. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около 1 ат.% в приповерхностной области пленки, причем вакансии образуются преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.
Cite:
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Гутаковский А.К.
, Просвирин И.П.
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097 РИНЦ
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097 РИНЦ
Translated:
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Gutakovskii A.K.
, Prosvirin I.P.
Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019. V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115 WOS Scopus РИНЦ
Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019. V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115 WOS Scopus РИНЦ
Dates:
Submitted: | Nov 21, 2018 |
Accepted: | Nov 23, 2018 |
Published print: | Jan 25, 2019 |
Identifiers:
Elibrary | 36855226 |
OpenAlex | W2914781039 |
Citing:
DB | Citing |
---|---|
Elibrary | 1 |