Взаимодействие с носителями заряда и спектр оптического поглощения ассоциата элементарных дефектов в SiO2: вакансия кислорода / силиленовый центр Научная публикация
Журнал |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294 |
||||
---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2004, Том: 46, Номер: 11, Страницы: 1955-1959 Страниц : 5 | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Сибирское отделение Российской академии наук | 116 |
Реферат:
Методами квантовой химии исследована способность ряда собственных дефектов в SiO2 захватывать электроны и дырки. Установлено, что двухкоординированный атом кремния с двумя неспаренными электронами-силиленовый центр (=Si:) и кремний-кремниевая связь-кислородная вакансия (=Si--Si=) являются электрон-дырочными ловушками в SiO2. Исследованы свойства дефекта, представляющего собой ассоциат двух указанных выше центров, и установлено, что этот дефект может захватывать электроны и дырки, т. е. является амфотерным дефектом в SiO2. Спектр оптического поглощения дефекта практически совпадает со спектром оптического поглощения оксирадикала (≡Si-O·) в диоксиде кремния. Работа поддержана грантом N 116 СО РАН.
Библиографическая ссылка:
Патраков А.Е.
, Гриценко В.А.
, Жидомиров Г.М.
Взаимодействие с носителями заряда и спектр оптического поглощения ассоциата элементарных дефектов в SiO2: вакансия кислорода / силиленовый центр
Физика твердого тела. 2004. Т.46. №11. С.1955-1959. РИНЦ
Взаимодействие с носителями заряда и спектр оптического поглощения ассоциата элементарных дефектов в SiO2: вакансия кислорода / силиленовый центр
Физика твердого тела. 2004. Т.46. №11. С.1955-1959. РИНЦ
Переводная версия:
Patrakov A.E.
, Gritsenko V.A.
, Zhidomirov G.M.
Interaction with Charge Carriers and the Optical Absorption Spectrum of an Associate Formed by Elementary Defects (an Oxygen Vacancy and a Silylene Center) in SiO2
Physics of the Solid State. 2004. V.46. N11. P.2021-2025. DOI: 10.1134/1.1825543 WOS Scopus РИНЦ
Interaction with Charge Carriers and the Optical Absorption Spectrum of an Associate Formed by Elementary Defects (an Oxygen Vacancy and a Silylene Center) in SiO2
Physics of the Solid State. 2004. V.46. N11. P.2021-2025. DOI: 10.1134/1.1825543 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 9 дек. 2003 г. |
Опубликована в печати: | 1 нояб. 2004 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 20335320 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 1 |