Плазмохимическое осаждение пленок SiCN из летучего N-бромгексаметилдисилазана Научная публикация
Журнал |
Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2008, Том: 44, Номер: 12, Страницы: 1453-1460 Страниц : 8 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Разработан процесс получения пленок карбонитрида кремния из нового исходного летучего кремнийорганического соединения - N-бромгексаметилдисилазана. Использование данного соединения, содержащего относительно слабую связь N-Br, позволило увеличить скорости роста пленок в плазмохимическом процессе с удаленной плазмой по сравнению с процессом, в котором использовались гексаметилдисалазан и гексаметилциклотрисилазан. Химическое строение пленок установлено с использованием комплекса спектроскопических методов. Найдено, что в интервале температур 570-870 К осаждаются неорганические пленки карбонитрида кремния, содержащие связи Si-N, Si-C и C-N, образование последних наблюдается уже при 470 К. Показано, что использование данного летучего кремнийорганического соединения позволяет синтезировать карбонитриды кремния с различным соотношением химических связей Si-N, Si-C и C-N, что расширяет возможность получения пленок и покрытий с разными функциональными свойствами. Пленки толщиной 100 нм, полученные при Т > 770 К, имели нанотвердость 17 ГПа.
Библиографическая ссылка:
Смирнова Т.П.
, Бадалян А.М.
, Борисов В.О.
, Бахтурова Л.Ф.
, Каичев В.В.
, Подгорбунская Т.А.
, Рахлин В.И.
Плазмохимическое осаждение пленок SiCN из летучего N-бромгексаметилдисилазана
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №12. С.1453-1460. РИНЦ
Плазмохимическое осаждение пленок SiCN из летучего N-бромгексаметилдисилазана
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №12. С.1453-1460. РИНЦ
Переводная:
Smirnova T.P.
, Badalyan A.M.
, Borisov V.O.
, Bakhturova L.F.
, Kaichev V.V.
, Podgorbunskaya T.A.
, Rakhlin V.I.
Plasma-Chemical Deposition of SiCN Films from Volatile N-Bromhexamethyldisilazane
Inorganic Materials. 2008. V.44. N12. P.1312-1318. DOI: 10.1134/S0020168508120091 WOS Scopus РИНЦ
Plasma-Chemical Deposition of SiCN Films from Volatile N-Bromhexamethyldisilazane
Inorganic Materials. 2008. V.44. N12. P.1312-1318. DOI: 10.1134/S0020168508120091 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 1 нояб. 2007 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 11624642 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 5 |