Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков Научная публикация
Журнал |
Письма в Журнал технической физики
ISSN: 0320-0116 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2010, Том: 36, Номер: 6, Страницы: 36-45 Страниц : 10 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Представлен и исследован новый метод формирования наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов. Наноструктурированные тонкие слои меди на кремниевых и кварцевых подложках синтезированы из малоразмерных формиатных металлокомплексов на основе совмещенного синтеза-переноса. Выявлено, что осажденный слой имеет характерную плотно упакованную зернистую структуру с преимущественным содержанием меди в металлическом состоянии Cu0 наноразмерных зерен.
Библиографическая ссылка:
Бадалян А.М.
, Бахтурова Л.Ф.
, Каичев В.В.
, Кашников Б.П.
, Поляков О.В.
, Пчеляков О.П.
, Смирнов Г.И.
Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков
Письма в Журнал технической физики. 2010. Т.36. №6. С.36-45. РИНЦ
Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков
Письма в Журнал технической физики. 2010. Т.36. №6. С.36-45. РИНЦ
Переводная:
Badalyan A.M.
, Bakhturova L.F.
, Kaichev V.V.
, Kashnikov B.P.
, Polyakov O.V.
, Pchelyakov O.P.
, Smirnov G.I.
Formation of Thin Nanostructured Layers during Heterogeneous Gas-Phase Synthesis from Small-Size Volatile Metal Complexes on the Surface of Semiconductors and Dielectrics
Technical Physics Letters. 2010. V.36. N3. P.265-268. DOI: 10.1134/S1063785010030193 WOS Scopus РИНЦ
Formation of Thin Nanostructured Layers during Heterogeneous Gas-Phase Synthesis from Small-Size Volatile Metal Complexes on the Surface of Semiconductors and Dielectrics
Technical Physics Letters. 2010. V.36. N3. P.265-268. DOI: 10.1134/S1063785010030193 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 21 окт. 2009 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 20327156 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 1 |