Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode Научная публикация
Журнал |
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing
ISSN: 8756-6990 , E-ISSN: 1934-7944 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2016, Том: 52, Номер: 5, Страницы: 442-446 Страниц : 5 DOI: 10.3103/S8756699016050058 | ||||||
Ключевые слова | laser diode, negative differential resistance | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Negative differential resistance in InGaN/GaN ultraviolet laser diodes is demonstrated. Switching between the lower and upper branches of the S-shaped current-voltage characteristic leads to a change in the optical emission power by six orders of magnitude as the current increases from 3 to 15 mA. The occurrence of a negative differential resistance is explained by superlinear injection of charge carriers of the same sign into the high-resistance InGaN quantum well.
Библиографическая ссылка:
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2016. V.52. N5. P.442-446. DOI: 10.3103/S8756699016050058 WOS Scopus РИНЦ
Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2016. V.52. N5. P.442-446. DOI: 10.3103/S8756699016050058 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная версия:
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах
Автометрия. 2016. Т.52. №5. С.31-36. DOI: 10.15372/AUT20160505 RSCI РИНЦ
Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах
Автометрия. 2016. Т.52. №5. С.31-36. DOI: 10.15372/AUT20160505 RSCI РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 2 февр. 2016 г. |
Опубликована в печати: | 1 сент. 2016 г. |
Опубликована online: | 6 янв. 2017 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000393114600005 |
Scopus | 2-s2.0-85008698673 |
РИНЦ | 29468200 |
OpenAlex | W2569119017 |