Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения Научная публикация
Журнал |
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2019, Том: 109, Номер: 2, Страницы: 112-117 Страниц : 6 DOI: 10.1134/s0370274x19020097 | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский научный фонд | 14-19-00192 |
Реферат:
В работе изучаются тонкие пленки оксида гафния, легированные La, синтезированные методом плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения с последующим быстрым отжигом. Установлено, что исследуемые пленки имеют орторомбическую нецентросимметричную структуру с пространственной группой Pmn 21. Показано, что пленки обладают сегнетоэлектрическими свойствами. Определено отношение атомных концентраций элементов в пленке и показано, что пленка состоит из смеси фаз HfO2 и La2O3. Показано, что травление ионами аргона приводит к генерации кислородных вакансий в концентрации около 1 ат.% в приповерхностной области пленки, причем вакансии образуются преимущественно за счет выбивания атомов кислорода в междоузельные позиции, с образованием пары Френкеля.
Библиографическая ссылка:
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Гутаковский А.К.
, Просвирин И.П.
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097 РИНЦ
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097 РИНЦ
Переводная:
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Gutakovskii A.K.
, Prosvirin I.P.
Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019. V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115 WOS Scopus РИНЦ
Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019. V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 21 нояб. 2018 г. |
Принята к публикации: | 23 нояб. 2018 г. |
Опубликована в печати: | 25 янв. 2019 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 36855226 |
OpenAlex | W2914781039 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 1 |