Химическое строение и структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой фазы Научная публикация
Журнал |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463 |
||
---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2002, Том: 43, Номер: 4, Страницы: 605-628 Страниц : 24 | ||
Авторы |
|
||
Организации |
|
Реферат:
Приведены результаты исследований химического строения и структуры полупроводниковых, диэлектрических и металлических пленок, полученных из молекулярных предшественников методом ХОГФ. Исследованы пленки сульфидов цинка и смешанных сульфидов меди, кадмия и цинка, нитрида и карбонитрида бора, карбонитрида кремния, а также пленки иридия. Показано, что использование разнолигандных летучих комплексных соединений цинка и марганца позволяет получать пленки сульфида цинка, в которых ионы марганца равномерно внедряются в кристаллическую решетку сульфида цинка, замещая цинк в узлах решетки. Структура пленок простых и смешанных сульфидов кадмия, меди и цинка зависит от типа подложки. Слои смешанного сульфида кадмия и цинка имеют гексагональную структуру и представляют собой раствор замещения. Слои нитрида бора, полученные из боразина, имеют нанокристаллическую структуру и представляют собой смесь кубической и гексагональной фаз. Из алкиламинборанов и его смесей с аммиаком получены композитные слои. В зависимости от условий синтеза слои представляют собой смеси гексагонального нитрида, карбида бора и карбонитрида бора или чистого нитрида бора. Использование силильных производных несимметричного диметилгидразина, содержащего в исходной молекуле связи Si-N и C-N, позволило получить пленки карбонитрида кремния, кристаллическая форма которого отнесена к тетрагональной структуре с параметрами решетки a 9,6 и c 6,4 A. Структура иридиевых пленок, полученных термолизом трис-ацетилацетоната иридия(III) на кварцевых подложках в присутствии водорода, является поликристаллической с размерами кристаллитов от 50 до 500 A. Предложена методика определения дисперсного состава и проведен анализ форм частиц в структурах иридиевых пленок. Показано влияние температуры подложки на внутреннюю микроструктуру и процессы роста иридиевых пленок. В области границы иридий-подложка происходит образование переходного слоя, состав которого зависит от материала подложки и условий осаждения.
Библиографическая ссылка:
Бадалян А.М.
, Белый В.И.
, Гельфонд Н.В.
, Игуменов И.К.
, Косинова М.Л.
, Морозова Н.Б.
, Расторгуев А.А.
, Румянцев Ю.М.
, Смирнова Т.П.
, Файнер Н.И.
, Яковкина Л.В.
Химическое строение и структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой фазы
Журнал структурной химии. 2002. Т.43. №4. С.605-628.
Химическое строение и структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой фазы
Журнал структурной химии. 2002. Т.43. №4. С.605-628.
Переводная версия:
Badalyan A.M.
, Belyi V.I.
, Gel'fond N.V.
, Igumenov I.K.
, Kosinova M.L.
, Morozova N.B.
, Rastorguev A.A.
, Rumyantsev Y.M.
, Smirnova T.P.
, Fainer N.I.
, Yakovkina L.V.
Chemical Composition and Structure of Thin Films Produced by Chemical Vapor Deposition
Journal of Structural Chemistry. 2002. V.43. N4. P.556-580. DOI: 10.1023/A:1022084017202 WOS Scopus РИНЦ
Chemical Composition and Structure of Thin Films Produced by Chemical Vapor Deposition
Journal of Structural Chemistry. 2002. V.43. N4. P.556-580. DOI: 10.1023/A:1022084017202 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 1 мар. 2002 г. |
Опубликована в печати: | 1 июл. 2002 г. |
Идентификаторы БД:
Нет идентификаторов
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований