Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса Научная публикация
Журнал |
Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0044-4510 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2020, Том: 158, Номер: 6(12), Страницы: 1083-1088 Страниц : 6 DOI: 10.31857/s004445102012007x | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
Реферат:
Исследуются тонкие пленки оксида кремния, полученные обработкой термического SiO2 в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса при различных временах экспозиции. С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что такая обработка приводит к существенному обеднению термического SiO2 кислородом, тем большему, чем больше время обработки. Атомная структура полученных таким образом пленок SiOx<2 описывается моделью случайных связей. Наличие вакансий кислорода в обработанных в плазме пленках подтверждается сопоставлением экспериментальных и рассчитанных из первых принципов фотоэлектронных спектров валентной зоны, позволяющим оценить значение параметра x. Показано, что обработанные в водородной плазме пленки термического оксида кремния могут успешно использоваться в качестве запоминающей среды ячейки энергонезависимой
резистивной памяти.
Библиографическая ссылка:
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
, Просвирин И.П.
Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x РИНЦ
Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x РИНЦ
Переводная:
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020. V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084 WOS Scopus РИНЦ
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020. V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 7 мая 2020 г. |
Принята к публикации: | 1 июл. 2020 г. |
Опубликована в печати: | 1 дек. 2020 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 44285750 |
OpenAlex | W3108351354 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 3 |