Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Научная публикация
Журнал |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463 |
||||
---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2011, Том: 52, Номер: 3, Страницы: 495-502 Страниц : 8 | ||||
Ключевые слова | ДИОКСИД ГАФНИЯ, АЛЮМИНАТ ГАФНИЯ, ОКСИД АЛЮМИНИЯ, БИНАРНЫЙ РАСТВОР, РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Сибирское отделение Российской академии наук | 70 |
Реферат:
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с применением методики послойного анализа проведено исследование пленок твердых растворов (HfO2)x(Al2O3)1–x, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы. Продемонстрирована возможность определения структуры твердых бинарных растворов на основе анализа РФЭ спектров.
Библиографическая ссылка:
Каичев В.В.
, Дубинин Ю.В.
, Смирнова Т.П.
, Лебедев М.С.
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ
Переводная:
Kaichev V.V.
, Dubinin Y.V.
, Smirnova T.P.
, Lebedev M.S.
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 5 мар. 2010 г. |
Принята к публикации: | 29 мар. 2010 г. |
Идентификаторы БД:
Russian Science Citation Index (RSCI) | RSCI:17050325 |
РИНЦ | 17050325 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 4 |