Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides
Научная публикация
Общая информация |
Язык:
Английский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
Конференция |
228th Fall Meeting of Electrochemical Society (ECS 2015 Phoenix)
11-15 окт. 2015
,
Phoenix
|
Журнал |
ECS Transactions
ISSN: 1938-5862
, E-ISSN: 1938-6737
|
Вых. Данные |
Год: 2015,
Том: 69,
Номер: 5,
Страницы: 237-241
Страниц
: 5
DOI:
10.1149/06905.0237ecst
|
Авторы |
Orlov O.M.
1
,
Krasnikov G.Ya.
1
,
Gritsenko V.A.
2,3
,
Kruchinin V.N.
2
,
Perevalov T.V.
2,3
,
Aliev V.Sh.
2
,
Islamov D.R.
2,3
,
Prosvirin I.P.
4
|
Организации |
1 |
JSC Molecular Electronics Research Institute, Zelenograd 124460, Russian Federation
|
2 |
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,
Novosibirsk 630090, Russian Federation
|
3 |
Novosibirsk State University, Novosibirsk 630090, Russian Federation
|
4 |
Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, Novosibirsk 630090, Russian Federation
|
|
Информация о финансировании (1)
1
|
Российский научный фонд
|
14-19-00192
|
We study the structure of nonstoichiometric HfOx films with variable composition using methods of X-ray photoelectron spectroscopy and spectroscopic ellipsometry. HfOx, to a first approximation, is a mixture of HfO2 and Hf metal with a small amount (~10–15%) of hafnium sub-oxide HfOy (y < 2).