EXAS Study of the Promising Semiconductor Material Ga2Se3 Научная публикация
Журнал |
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
ISSN: 1062-8738 , E-ISSN: 1934-9432 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2013, Том: 77, Номер: 9, Страницы: 1154-1156 Страниц : 3 DOI: 10.3103/S1062873813090487 | ||||||||
Ключевые слова | Coordination Sphere; EXAFS Spectrum; Efficient Solar Cell; Local Atomic Structure; Tikhonov Regularization Method | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (6)
1 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 16.518.11.7019 |
2 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 02.740.11.0543 |
3 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 16.513.11.3043 |
4 | Уральское отделение Российской академии наук | 11 2 НП 411 |
5 | Уральское отделение Российской академии наук | 12-П-2-1038 |
6 | Уральское отделение Российской академии наук | 12-С-2-1024 |
Реферат:
Ga2Se3, a promising material for absorbing layers of high-efficient solar cells, is studied by EXAFS spectroscopy. Structural data (e.g., interatomic distances and coordination numbers) are obtained for the local environment of gallium and selenium, and are compared to modeling calculations performed using FEFF-8 software
Библиографическая ссылка:
Valeev R.G.
, Kriventsov V.V.
, Mezentsev N.A.
EXAS Study of the Promising Semiconductor Material Ga2Se3
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2013. V.77. N9. P.1154-1156. DOI: 10.3103/S1062873813090487 Scopus РИНЦ
EXAS Study of the Promising Semiconductor Material Ga2Se3
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2013. V.77. N9. P.1154-1156. DOI: 10.3103/S1062873813090487 Scopus РИНЦ
Оригинальная версия:
Валеев Р.Г.
, Кривенцов В.В.
, Мезенцев Н.А.
EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga2Se3
Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2013. Т.77. №9. С.1320-1322. DOI: 10.7868/S0367676513090494 РИНЦ
EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga2Se3
Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2013. Т.77. №9. С.1320-1322. DOI: 10.7868/S0367676513090494 РИНЦ
Даты:
Опубликована в печати: | 1 сент. 2013 г. |
Опубликована online: | 28 сент. 2013 г. |
Идентификаторы БД:
Scopus | 2-s2.0-84885333964 |
РИНЦ | 21880011 |
Chemical Abstracts | 2013:1534942 |
Chemical Abstracts (print) | 160:437405 |
OpenAlex | W2008537645 |