Алиев Владимир Шакирович

Внешние ссылки

ORCID: 0000-0002-4266-971X

ResearcherID: A-8138-2014

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	1992 - 2022	34
2	Новосибирский государственный технический университет	2021 - 2022	3
3	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН	2007	1

Научная деятельность

Статьи в журналах - 27 , Главы монографий - 1 , Тезисы докладов - 2 , Доклады на конференциях - 2

Статьи в журналах (27) Подробнее

1	Perevalov T.V. , Iskhakzai R.M.K. , Prosvirin I.P. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ
2	Перевалов Т.В. , Исхакзай Р.М.Х. , Просвирин И.П. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А. Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2(1). С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ
3	Voronkovskii V.A. , Aliev V.S. , Gerasimova A.K. , Perevalov T.V. , Prosvirin I.P. , Islamov D.R. Influence of the Active TaN/ZrOx/Ni Memristor Layer Oxygen Content on Forming and Resistive Switching Behavior Nanotechnology. 2021. V.32. N18. 185205 :1-19. DOI: 10.1088/1361-6528/abce7b WOS Scopus РИНЦ
4	Voronkovskii V.A. , Perevalov T.V. , Iskhakzay R.M.H. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. Phonon-Assisted Electron Tunneling between Traps in Silicon Oxide Films Treated in Hydrogen Plasma Journal of Non-Crystalline Solids. 2020. V.546. 120256 :1-5. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120256 WOS Scopus РИНЦ
5	Перевалов Т.В. , Исхакзай Р.М.Х. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П. Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x РИНЦ
6	Perevalov T.V. , Iskhakzai R.M.K. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020. V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084 WOS Scopus РИНЦ
7	Gritsenko V.A. , Perevalov T.V. , Voronkovskii V.A. , Gismatulin A.A. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Pustovarov V.A. , Prosvirin I.P. , Roizin Y. Charge Transport and the Nature of Traps in Oxygen Deficient Tantalum Oxide ACS Applied Materials and Interfaces. 2018. V.10. N4. P.3769-3775. DOI: 10.1021/acsami.7b16753 WOS Scopus РИНЦ
8	Gritsenko V.A. , Volodin V.A. , Perevalov T.V. , Kruchinin V.N. , Gerasimova A.K. , Aliev V.S. , Prosvirin I.P. Nanoscale Potential Fluctuations in Nonstoichiometrics Tantalum Oxide Nanotechnology. 2018. V.29. N42. 425202 :1-9. DOI: 10.1088/1361-6528/aad430 WOS Scopus РИНЦ
9	Gritsenko V.A. , Novikov Y.N. , Perevalov T.V. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Gerasimova A.K. , Erenburg S.B. , Trubina S.V. , Kvashnina K.O. , Prosvirin I.P. , Lanza M. Nanoscale Potential Fluctuations in Zirconium Oxide and the Flash Memory Based on Electron and Hole Localization Advanced Electronic Materials. 2018. 1700592 :1-8. DOI: 10.1002/aelm.201700592 WOS Scopus РИНЦ
10	Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Gismatulin A.A. , Voronkovskii V.A. , Gerasimova A.K. , Aliev V.S. , Prosvirin I.A. Electronic Structure and Charge Transport in Nonstoichiometric Tantalum Oxide Nanotechnology. 2018. V.29. N26. 264001 :1-9. DOI: 10.1088/1361-6528/aaba4c WOS Scopus РИНЦ
11	Islamov D.R. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Orlov O.M. , Chin A. Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides Advances in Science and Technology. 2016. V.99. P.69-74. DOI: 10.4028/www.scientific.net/ast.99.69 РИНЦ
12	Aliev V.S. , Gerasimova A.K. , Kruchinin V.N. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Badmaeva I.A. The Atomic Structure and Chemical Composition of HfOx (x<2) Films Prepared by Ion-Beam Sputtering Deposition Materials Research Express. 2016. V.3. P.085008-1-8. DOI: 10.1088/2053-1591/3/8/085008 WOS Scopus РИНЦ
13	Orlov O.M. , Krasnikov G.Y. , Gritsenko V.A. , Kruchinin V.N. , Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Islamov D.R. , Prosvirin I.P. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides ECS Transactions. 2015. V.69. N5. P.237-241. DOI: 10.1149/06905.0237ecst Scopus РИНЦ
14	Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Cheng C.H. , Chin A. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric HfOx and Low Resistive Transport in RRAM Microelectronic Engineering. 2015. V.147. P.165-167. DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.091 WOS Scopus РИНЦ
15	Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Saraev A.A. , Kaichev V.V. , Ivanova E.V. , Zamoryanskaya M.V. The Origin of 2.7 eV Luminescence and 5.2 eV Excitation Band in Hafnium Ooxide Applied Physics Letters. 2014. V.104. N7. P.071904-1-071904-5. DOI: 10.1063/1.4865259 WOS Scopus РИНЦ
16	Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Saraev A.A. , Kaichev V.V. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in Hafnium Oxide Microelectronic Engineering. 2013. V.109. P.21-23. DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.005 WOS Scopus РИНЦ
17	Ivanov M.V. , Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Kaichev V.V. Electronic Structure of δ-Ta2O5 with Oxygen Vacancy: ab initio Calculations and Comparison with Experiment Journal of Applied Physics. 2011. V.110. P.024115-1 - 024115-5. DOI: 10.1063/1.3606416 WOS Scopus РИНЦ
18	Иванов М.В. , Перевалов Т.В. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А. , Каичев В.В. Моделирование ab initio электронной структуры δ-Ta2O5 с кислородной вакансией и сравнение с экспериментом Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.139. №6. С.1182-1189. РИНЦ
19	Ivanov M.V. , Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Gritsenko V.A. , Kaichev V.V. Ab initio Simulation of the Electronic Structure of δ-Ta2O5 with Oxygen Vacancy and Comparison with Experiment Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2011. V.112. N6. P.1035-1041. DOI: 10.1134/S1063776111050037 WOS Scopus РИНЦ
20	Atuchin V.V. , Kruchinin V.N. , Kalinkin A.V. , Aliev V.S. , Rykhlitskii S.V. , Shvets V.A. , Spesivtsev E.V. Optical Properties of the HfO2 – xNx and TiO2 – xNx Films Prepared by Ion Beam Sputtering Optics and Spectroscopy. 2009. V.106. N1. P.72-77. DOI: 10.1134/S0030400X09010093 WOS Scopus РИНЦ
21	Атучин В.В. , Кручинин В.Н. , Калинкин А.В. , Алиев В.Ш. , Рыхлицкий С.В. , Швец В.А. , Спесивцев Е.В. Оптические свойства пленок HfO(2x)Nx и TiO(2x)Nx, полученных методом ионно-лучевого распыления Оптика и спектроскопия. 2009. Т.106. №1. С.77-82. РИНЦ
22	Ramana C.V. , Utsunomiya S. , Ewing R. , Becker U. , Atuchin V.V. , Aliev V.S. , Kruchinin V.N. Spectroscopic Ellipsometry Characterization of the Optical Properties and Thermal Stability of Zr O2 Films Made by Ion-Beam Assisted Deposition Applied Physics Letters. 2008. V.92. N1. P.011917. DOI: 10.1063/1.2811955 WOS Scopus РИНЦ
23	Shvets V.A. , Aliev V.S. , Gritsenko D.V. , Shaimeev S.S. , Fedosenko E.V. , Rykhlitski S.V. , Atuchin V.V. , Gritsenko V.A. , Tapilin V.M. , Wong H. Electronic Structure and Charge Transport Properties of Amorphous Ta2O5 Films Journal of Non-Crystalline Solids. 2008. V.354. N26. P.3025-3033. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.12.013 WOS Scopus РИНЦ
24	Atuchin V.V. , Aliev V.S. , Kruchinin V.N. , Ramana C.V. Optical Properties and Micromorphology of ZrO2/Si Films Created by Ion Beam Sputtering Deposition Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2007. V.4. N3. P.62-65. РИНЦ
25	Gritsenko V. , Gritsenko D. , Shaimeev S. , Aliev V. , Nasyrov K. , Erenburg S. , Tapilin V. , Wong H. , Poon M.C. , Lee J.H. , Lee J.-W. , Kim C.W. Atomic and Electronic Structures of Amorphous ZrO2 and HfO 2 Films Microelectronic Engineering. 2005. V.81. N2-4. P.524-529. DOI: 10.1016/j.mee.2005.03.056 WOS Scopus РИНЦ
26	Aliev V.S. , Baklanov M.R. , Bukhtiyarov V.I. Silicon Surface Cleaning Using XeF2 Gas Treatment Applied Surface Science. 1995. V.90. N2. P.191-194. DOI: 10.1016/0169-4332(95)00072-0 WOS Scopus РИНЦ
27	Алиев В.Ш. , Бакланов М.Р. , Бухтияров В.И. Исследование кинетики адсорбции XeF2 на поверхности Si(100) методом РФЭС Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1992. №3. С.46-52. РИНЦ

Главы монографий (1) Подробнее

Islamov D.R. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Aliev V.S. , Saraev A.A. , Kaichev V.V. , Ivanova E.V. , Zamoryanskaya M.V. , Chin A.
20 – The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element
Глава монографии Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. – Elsevier Inc., 2016. – C.493-504. – ISBN 9780128105122. DOI: 10.1016/B978-0-12-810512-2.00020-2 WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (2) Подробнее

Кручинин В.Н. , Алиев В.Ш. , Герасимова А.К. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П. , Рыхлицкий С.В.
Оптические свойства тонких пленок нестехиометрического оксида тантала TAOX
Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2018. Т.18. №2. С.295-298. РИНЦ

Кручинин В.Н. , Алиев В.Ш. , Герасимова А.К. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П. , Рыхлицкий С.В.
Химический состав и оптические свойства нестехиометрических тонких пленок ZrOx, полученных методом ионно-лучевого распыления-осаждения
Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2017. №2. С.395-398. РИНЦ

Доклады на конференциях (2) Подробнее

Кручинин В.Н. , Алиев В.Ш. , Герасимова А.К. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П. , Рыхлицкий С.В.
Химический состав и оптические свойства нестехиометрических тонких пленок ZrOx, полученных методом ионно-лучевого распыления-осаждения
Международная научно-техническая конференция «INTERMATIC – 2017» 20-24 нояб. 2017

Orlov O.M. , Krasnikov G.Y. , Gritsenko V.A. , Kruchinin V.N. , Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Islamov D.R. , Prosvirin I.P.
Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides
228th Fall Meeting of Electrochemical Society (ECS 2015 Phoenix) 11-15 Oct 2015