Chin Albert | Sciact - CRIS-система Института катализа - публикации, сотрудники

Chin Albert

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	National Chiao Tung University	2015 - 2020	7

Научная деятельность

Статьи в журналах - 6 , Главы монографий - 1

Статьи в журналах (6) Подробнее

1	Gismatulin A.A. , Voronkovskii V.A. , Kamaev G.N. , Novikov Y.N. , Kruchinin V.N. , Krivyakin G.K. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Chin A. Electronic Structure and Charge Transport Mechanism in a Forming-Free SiOx-Based Memristor Nanotechnology. 2020. V.31. N50. 505704 :1-10. DOI: 10.1088/1361-6528/abb505 WOS Scopus РИНЦ
2	Gritsenko V.A. , Kruchinin V.N. , Prosvirin I.P. , Novikov Y.N. , Chin A. , Volodin V.A. Atomic and Electronic Structures of a-SiNx:H Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2019. V.129. N5. P.924-934. DOI: 10.1134/S1063776119080132 WOS Scopus РИНЦ
3	Гриценко В.А. , Кручинин В.Н. , Просвирин И.П. , Новиков Ю.Н. , Чин А. , Володин В.А. Строение и электронная структура a-SiNx:H Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.156. №5(11). С.1003-1015. DOI: 10.1134/s0044451019110166 РИНЦ
4	Gismatulin A.A. , Kruchinin V.N. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Yen T.-J. , Chin A. Charge Transport Mechanism of High-Resistive State in RRAM Based on SiOx Applied Physics Letters. 2019. V.114. N3. 033503 :1-5. DOI: 10.1063/1.5074116 WOS Scopus РИНЦ
5	Islamov D.R. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Orlov O.M. , Chin A. Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides Advances in Science and Technology. 2016. V.99. P.69-74. DOI: 10.4028/www.scientific.net/ast.99.69 РИНЦ
6	Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Cheng C.H. , Chin A. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric HfOx and Low Resistive Transport in RRAM Microelectronic Engineering. 2015. V.147. P.165-167. DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.091 WOS Scopus РИНЦ

Главы монографий (1) Подробнее

1

Islamov D.R. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Aliev V.S. , Saraev A.A. , Kaichev V.V. , Ivanova E.V. , Zamoryanskaya M.V. , Chin A.
20 – The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element
Глава монографии Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. – Elsevier Inc., 2016. – C.493-504. – ISBN 9780128105122. DOI: 10.1016/B978-0-12-810512-2.00020-2 WOS Scopus РИНЦ