Новиков Юрий Николаевич | Sciact - CRIS-система Института катализа - публикации, сотрудники

Новиков Юрий Николаевич

Внешние ссылки

РИНЦ ID: 10603

Scopus ID: 57193379626

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2002 - 2023	9
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2019	2
3	Институт элементоорганических соединений им. А.Н.Несмеянова РАН	2009	1

Научная деятельность

Статьи в журналах - 10 , Книги - 1

Статьи в журналах (10) Подробнее

1	Novikov Y.N. , Gismatulin A.A. , Prosvirin I.P. , Bobovnikov P.G. , Krasnikov G.Y. , Gritsenko V.A. Short-Range Order and Charge Transport in Silicon-Rich Pyrolytic Silicon Oxynitride Journal of Non-Crystalline Solids. 2023. V.599. 121984 :1-7. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2022.121984 WOS Scopus
2	Gismatulin A.A. , Voronkovskii V.A. , Kamaev G.N. , Novikov Y.N. , Kruchinin V.N. , Krivyakin G.K. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Chin A. Electronic Structure and Charge Transport Mechanism in a Forming-Free SiOx-Based Memristor Nanotechnology. 2020. V.31. N50. 505704 :1-10. DOI: 10.1088/1361-6528/abb505 WOS Scopus РИНЦ
3	Gritsenko V.A. , Kruchinin V.N. , Prosvirin I.P. , Novikov Y.N. , Chin A. , Volodin V.A. Atomic and Electronic Structures of a-SiNx:H Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2019. V.129. N5. P.924-934. DOI: 10.1134/S1063776119080132 WOS Scopus РИНЦ
4	Гриценко В.А. , Кручинин В.Н. , Просвирин И.П. , Новиков Ю.Н. , Чин А. , Володин В.А. Строение и электронная структура a-SiNx:H Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.156. №5(11). С.1003-1015. DOI: 10.1134/s0044451019110166 РИНЦ
5	Perevalov T.V. , Volodin V.A. , Novikov Y.N. , Kamaev G.N. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Physics of the Solid State. 2019. V.61. N12. P.2560-2568. DOI: 10.1134/s1063783419120370 WOS РИНЦ
6	Перевалов Т.В. , Володин В.А. , Новиков Ю.Н. , Камаев Г.Н. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П. Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением Физика твердого тела. 2019. Т.61. №12. С.2528–2535. DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552 РИНЦ
7	Gritsenko V.A. , Novikov Y.N. , Perevalov T.V. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Gerasimova A.K. , Erenburg S.B. , Trubina S.V. , Kvashnina K.O. , Prosvirin I.P. , Lanza M. Nanoscale Potential Fluctuations in Zirconium Oxide and the Flash Memory Based on Electron and Hole Localization Advanced Electronic Materials. 2018. 1700592 :1-8. DOI: 10.1002/aelm.201700592 WOS Scopus РИНЦ
8	Gritsenko V.A. , Novikov Y.N. , Shaposhnikov A.V. , Wong H. , Zhidomirov G.M. Capturing Properties of Three-Fold Coordinated Silicon Atom in Silicon Nitride: A Positive Correlation Energy Model Физика твердого тела. 2003. V.45. N11. P.1934-1937. РИНЦ
9	Gritsenko V.A. , Novikov Y.N. , Shaposhnikov A.V. , Wong H. , Zhidomirov G.M. Capturing Properties of a Threefold Coordinated Silicon Atom in Silicon Nitride: Positive Correlation Energy Model Physics of the Solid State. 2003. V.45. N11. P.2031-2035. DOI: 10.1134/1.1626733 WOS Scopus РИНЦ
10	Gritsenko V.A. , Shaposhnikov A.V. , Novikov Y.N. , Baraban A.P. , Wong H. , Zhidomirov G.M. , Roger M. Onefold Coordinated Oxygen Atom: An Electron Trap in the Silicon Oxide Microelectronics Reliability. 2003. V.43. N4. P.665-669. DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00030-1 WOS Scopus РИНЦ

Книги (1) Подробнее

1

Гриценко В.А. , Елисеев А.П. , Иванов М.В. , Игуменов И.К. , Каичев В.В. , Карпушин А.А. , Морозова Н.Б. , Насыров К.А. , Некрашевич С.С. , Новиков Ю.Н. , Перевалов Т.В. , Пустоваров В.А. , Расторгуев А.А. , Смирнова Т.П. , Снытников В.Н. , Сорокин А.Н. , Стояновский В.О. , Шапошников А.В.
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
Монография, Изд-во СО РАН. Новосибирск.2011. 158 c. ISBN 9785769211836 (Вып.31); 9785769206696.