Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem Full article
Journal |
Journal of Structural Chemistry
ISSN: 0022-4766 , E-ISSN: 1573-8779 |
||
---|---|---|---|
Output data | Year: 2000, Volume: 41, Number: 3, Pages: 529-530 Pages count : 2 DOI: 10.1007/BF02742014 | ||
Tags | Silicon Nitride; Paramagnetic Center; Nitride Layer; Flat Band; Nitrogen Center | ||
Authors |
|
||
Affiliations |
|
Abstract:
Part one of this communication [1] described the nature of the electronic levels arising in the silicon subsystem
of a-Si3N 4. Here we present the results of our investigations on the nitrogen subsystem.
Cite:
Belyi V.I.
, Rastorguev A.A.
Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem
Journal of Structural Chemistry. 2000. V.41. N3. P.529-530. DOI: 10.1007/BF02742014 WOS Scopus РИНЦ
Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem
Journal of Structural Chemistry. 2000. V.41. N3. P.529-530. DOI: 10.1007/BF02742014 WOS Scopus РИНЦ
ArticleLinkType.TRANSLATED_TO_ORIGINAL:
Белый В.И.
, Расторгуев А.А.
Люминесценция аморфного нитрида кремния и его электронное строение. Азотная подсистема
Журнал структурной химии. 2000. Т.41. №3. С.647-649.
Люминесценция аморфного нитрида кремния и его электронное строение. Азотная подсистема
Журнал структурной химии. 2000. Т.41. №3. С.647-649.
Dates:
Submitted: | Mar 11, 1999 |
Published print: | May 1, 2000 |
Identifiers:
Web of science | WOS:000165977600024 |
Scopus | 2-s2.0-0034558868 |
Elibrary | 13340781 |
Chemical Abstracts | 2001:2614 |
Chemical Abstracts (print) | 134:170279 |
OpenAlex | W2065299822 |
publication.block.citing_info:
Пока нет цитирований