Реализация терагерцовых фильтров высоких частот на основе цельнометаллических микроструктур с использованием глубокой рентгенолитографии
Full article
| Common |
Language:
Русский,
Genre:
Full article,
Status:
Published,
Source type:
Original
|
| Journal |
Автометрия
ISSN: 0320-7102
|
| Output data |
Year: 2019,
Volume: 55,
Number: 2,
Pages: 14-27
Pages count
: 14
DOI:
10.15372/AUT20190202
|
| Tags |
глубокая рентгеновская литография, LIGA-технология, микроструктуры, квазиоптические фильтры, терагерцовый диапазон |
| Authors |
Генцелев А.Н.
1
,
Кузнецов С.А.
1,2,3
,
Дульцев Ф.Н.
3,4
,
Гольденберг Б.Г.
1
,
Зелинский А.Г.
5
,
Кондратьев В.И.
1
,
Таныгина Д.С.
2,6
|
| Affiliations |
| 1 |
Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, 630090, г.Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
|
| 2 |
Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», 630090, г.Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 2/1
|
| 3 |
Новосибирский государственный университет, 630090, г.Новосибирск, ул.Пирогова, 2
|
| 4 |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090, г.Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
|
| 5 |
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН, 630128, г.Новосибирск, ул.Кутателадзе, 18
|
| 6 |
Дальневосточный федеральный университет, 690091, г.Владивосток, ул.Суханова, 8
|
|
Описывается методика создания квазиоптических фильтров высоких частот терагерцового диапазона на базе толстых (толщиной до 1 мм) самонесущих медных микроструктур субволновой топологии. Методика основана на рентгенолитографическом формировании высокоаспектной резистивной маски из рентгенорезиста SU-8 на кремниевой подложке с использованием вольфрамового рентгеношаблона и последующим гальваническим выращиванием медного слоя через резистивную маску. Рассмотрен пример структуры толщиной 212 мкм с частотой отсечки 0,42 ТГц, имеющей топологию гексагонально упакованных отверстий шестиугольной формы. Представлены результаты широкополосной ТГц-характеризации полученной структуры и её электродинамического анализа.