Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Full article
Journal |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463 |
||||
---|---|---|---|---|---|
Output data | Year: 2011, Volume: 52, Number: 3, Pages: 495-502 Pages count : 8 | ||||
Tags | ДИОКСИД ГАФНИЯ, АЛЮМИНАТ ГАФНИЯ, ОКСИД АЛЮМИНИЯ, БИНАРНЫЙ РАСТВОР, РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ | ||||
Authors |
|
||||
Affiliations |
|
Funding (1)
1 | Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences | 70 |
Abstract:
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) с применением методики послойного анализа проведено исследование пленок твердых растворов (HfO2)x(Al2O3)1–x, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы. Продемонстрирована возможность определения структуры твердых бинарных растворов на основе анализа РФЭ спектров.
Cite:
Каичев В.В.
, Дубинин Ю.В.
, Смирнова Т.П.
, Лебедев М.С.
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ
Изучение структуры пленок (HfO2)x(Al2O3)1–x/Si методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Журнал структурной химии. 2011. Т.52. №3. С.495-502. RSCI РИНЦ
Translated:
Kaichev V.V.
, Dubinin Y.V.
, Smirnova T.P.
, Lebedev M.S.
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ
A Study of the Structure of (HfO2 ) x (Al2 O3)1−x /Si Films by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Journal of Structural Chemistry. 2011. V.52. N3. P.480-487. DOI: 10.1134/S002247661103005X WOS Scopus РИНЦ
Dates:
Submitted: | Mar 5, 2010 |
Accepted: | Mar 29, 2010 |
Identifiers:
RSCI | RSCI:17050325 |
Elibrary | 17050325 |
Citing:
DB | Citing |
---|---|
Elibrary | 4 |