1
|
Chistokhin I.B.
, Aksenov M.S.
, Valisheva N.A.
, Dmitriev D.V.
, Kovchavtsev A.P.
, Gutakovskii A.K.
, Prosvirin I.P.
, Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018.
V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Zhuravlev K.S.
, Malin T.V.
, Mansurov V.G.
, Tereshenko O.E.
, Abgaryan K.K.
, Reviznikov D.L.
, Zemlyakov V.E.
, Egorkin V.I.
, Parnes Y.M.
, Tikhomirov V.G.
, Prosvirin I.P.
AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors
Semiconductors. 2017.
V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Журавлев К.С.
, Малин Т.В.
, Мансуров В.Г.
, Терещенко О.Е.
, Абгарян К.К.
, Ревизников Д.Л.
, Земляков В.Е.
, Егоркин В.И.
, Парнес Я.М.
, Тихомиров В.Г.
, Просвирин И.П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Физика и техника полупроводников. 2017.
Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
RSCI
РИНЦ
|
4
|
Аксенов М.С.
, Валишева Н.А.
, Левцова Т.А.
, Чистохин И.Б.
, Просвирин И.П.
, Кожухов А.С.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Гилинский А.М.
, Журавлев К.С.
Формирование барьера Шоттки СВЧ фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур
In compilation
26-Я Международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КРЫМИКО'2016) Материалы конференции. В 13 томах. Том. 10. 8. Прикладные аспекты СВЧ-техники и фотоники.
2016.
– C.2400-2404. – ISBN 9789663354286.
РИНЦ
|