1
|
Perevalov T.V.
, Gismatulin A.A.
, Prosvirin I.P.
, Pustovarov V.A.
, Gritsenko V.A.
Oxygen Vacancies as Traps Responsible for La-Doped Hf0.5Zr0.5O2 Charge Transport
The Journal of Physical Chemistry C. 2023.
V.127. N30. P.14883-14890. DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c01798
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Просвирин И.П.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022.
Т.115. №1-2(1). С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045
РИНЦ
|
3
|
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Prosvirin I.P.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022.
V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Бухтияров А.В.
, Просвирин И.П.
Электронная структура дефектов вакансионного типа в гексагональном нитриде бора
Физика твердого тела. 2022.
Т.64. №7. С.787-793. DOI: 10.21883/ftt.2022.07.52562.308
РИНЦ
|
5
|
Perevalov T.V.
, Volodin V.A.
, Kamaev G.N.
, Gismatulin A.A.
, Cherkova S.G.
, Prosvirin I.P.
, Astankova K.N.
, Gritsenko V.A.
Electronic Structure of Silicon Oxynitride Films Grown by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Memristor Application
Journal of Non-Crystalline Solids. 2022.
V.598. 121925
:1-8. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2022.121925
WOS
Scopus
РИНЦ
|
6
|
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Bukhtiyarov A.V.
, Prosvirin I.P.
Electronic Structure of Vacancy-Type Defects in Hexagonal Boron Nitride
Physics of the Solid State. 2022.
V.64. N7. P.792-797. DOI: 10.21883/pss.2022.07.54582.308
РИНЦ
|
7
|
Voronkovskii V.A.
, Aliev V.S.
, Gerasimova A.K.
, Perevalov T.V.
, Prosvirin I.P.
, Islamov D.R.
Influence of the Active TaN/ZrOx/Ni Memristor Layer Oxygen Content on Forming and Resistive Switching Behavior
Nanotechnology. 2021.
V.32. N18. 185205
:1-19. DOI: 10.1088/1361-6528/abce7b
WOS
Scopus
РИНЦ
|
8
|
Perevalov T.V.
, Gismatulin A.A.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
, Mehmood F.
, Mikolajick T.
, Schroeder U.
Bipolar Conductivity in Ferroelectric La:HfZrO Films
Applied Physics Letters. 2021.
V.118. N26. 262903
:1-4. DOI: 10.1063/5.0050748
WOS
Scopus
РИНЦ
|
9
|
Perevalov T.V.
, Prosvirin I.P.
, Suprun E.A.
, Mehmood F.
, Mikolajick T.
, Schroeder U.
, Gritsenko V.A.
The Atomic and Electronic Structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2:La Films
Journal of Science: Advanced Materials and Devices. 2021.
V.6. N4. P.595-600. DOI: 10.1016/j.jsamd.2021.08.001
WOS
Scopus
РИНЦ
|
10
|
Perevalov T.V.
, Volodin V.A.
, Kamaev G.N.
, Krivyakin G.K.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Electronic Structure and Nanoscale Potential Fluctuations in Strongly Nonstoichiometric PECVD SiOx
Journal of Non-Crystalline Solids. 2020.
V.529. 119796
:1-4. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2019.119796
WOS
Scopus
РИНЦ
|
11
|
Perevalov T.V.
, Gismatulin A.A.
, Seregin D.S.
, Wang Y.
, Xu H.
, Kruchinin V.N.
, Spesivcev E.V.
, Gritsenko V.A.
, Nasyrov K.A.
, Prosvirin I.P.
, Zhang J.
, Vorotilov K.A.
, Baklanov M.R.
Critical Properties and Charge Transport in Ethylene Bridged Organosilica Low-κ Dielectrics
Journal of Applied Physics. 2020.
V.127. N19. 195105
:1-12. DOI: 10.1063/1.5145239
WOS
Scopus
РИНЦ
РИНЦ
|
12
|
Voronkovskii V.A.
, Perevalov T.V.
, Iskhakzay R.M.H.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Phonon-Assisted Electron Tunneling between Traps in Silicon Oxide Films Treated in Hydrogen Plasma
Journal of Non-Crystalline Solids. 2020.
V.546. 120256
:1-5. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120256
WOS
Scopus
РИНЦ
|
13
|
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
, Просвирин И.П.
Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020.
Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x
РИНЦ
|
14
|
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020.
V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084
WOS
Scopus
РИНЦ
|
15
|
Perevalov T.V.
, Gutakovskii A.K.
, Kruchinin V.N.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Atomic and Electronic Structure of Ferroelectric La-Doped HfO2 Films
Materials Research Express. 2019.
V.6. N3. 036403
:1-7. DOI: 10.1088/2053-1591/aaf436
WOS
Scopus
РИНЦ
|
16
|
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Гутаковский А.К.
, Просвирин И.П.
Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019.
Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097
РИНЦ
|
17
|
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Gutakovskii A.K.
, Prosvirin I.P.
Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019.
V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115
WOS
Scopus
РИНЦ
|
18
|
Perevalov T.V.
, Volodin V.A.
, Novikov Y.N.
, Kamaev G.N.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Physics of the Solid State. 2019.
V.61. N12. P.2560-2568. DOI: 10.1134/s1063783419120370
WOS
РИНЦ
|
19
|
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Islamov D.R.
, Prosvirin I.P.
Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2018.
V.107. N1. P.55-60. DOI: 10.1134/S0021364018010071
WOS
Scopus
РИНЦ
|
20
|
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Исламов Д.Р.
, Просвирин И.П.
Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf0.5Zr0.5O2
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018.
Т.107. №1. С.62-67. DOI: 10.7868/S0370274X18010113
РИНЦ
|