1
|
Аксенов М.С.
, Валишева Н.А.
, Левцова Т.А.
, Чистохин И.Б.
, Просвирин И.П.
, Кожухов А.С.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Гилинский А.М.
, Журавлев К.С.
Формирование барьера Шоттки СВЧ фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур
In compilation
26-Я Международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КРЫМИКО'2016) Материалы конференции. В 13 томах. Том. 10. 8. Прикладные аспекты СВЧ-техники и фотоники.
2016.
– C.2400-2404. – ISBN 9789663354286.
РИНЦ
|
2
|
Valisheva N.A.
, Aksenov M.S.
, Golyashov V.A.
, Levtsova T.A.
, Kovchavtsev A.P.
, Gutakovskii A.K.
, Khandarkhaeva S.E.
, Kalinkin A.V.
, Prosvirin I.P.
, Bukhtiyarov V.I.
, Tereshchenko O.E.
Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation
Applied Physics Letters. 2014.
V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Валишева Н.А.
, Терещенко О.Е.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Голяшов В.А.
, Левцова Т.А.
, Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012.
Т.46. №4. С.569-575.
РИНЦ
|
4
|
Valisheva N.A.
, Tereshchenko O.E.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Goljashov V.A.
, Levtzova T.A.
, Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012.
V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239
WOS
Scopus
РИНЦ
|
5
|
Valisheva N.A.
, Tereshchenko O.E.
, Prosvirin I.P.
, Levtsova T.A.
, Rodjakina E.E.
, Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010.
V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100
WOS
Scopus
РИНЦ
|