1
|
Voronkovskii V.A.
, Aliev V.S.
, Gerasimova A.K.
, Perevalov T.V.
, Prosvirin I.P.
, Islamov D.R.
Influence of the Active TaN/ZrOx/Ni Memristor Layer Oxygen Content on Forming and Resistive Switching Behavior
Nanotechnology. 2021.
V.32. N18. 185205
:1-19. DOI: 10.1088/1361-6528/abce7b
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Perevalov T.V.
, Islamov D.R.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Electronic Structure of Stoichiometric and Oxygen-Deficient Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2
Nanotechnology. 2018.
V.29. N19. 194001
:1-8. DOI: 10.1088/1361-6528/aaacb1
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Islamov D.R.
, Prosvirin I.P.
Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2018.
V.107. N1. P.55-60. DOI: 10.1134/S0021364018010071
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Перевалов Т.В.
, Гриценко В.А.
, Исламов Д.Р.
, Просвирин И.П.
Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf0.5Zr0.5O2
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018.
Т.107. №1. С.62-67. DOI: 10.7868/S0370274X18010113
РИНЦ
|
5
|
Perevalov T.V.
, Islamov D.R.
, Saraev A.A.
The Atomic and Electronic Structure of Oxygen Polyvacancies in Anatase
Technical Physics Letters. 2016.
V.42. N6. P.601-604. DOI: 10.1134/S1063785016060134
WOS
Scopus
РИНЦ
|
6
|
Perevalov T.V.
, Islamov D.R.
, Gritsenko V.A.
, Saraev A.A.
Electronic Structure of Oxygen Deficient Noncentrosymmetric Orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2
ECS Transactions. 2016.
V.75. N5. P.227-233. DOI: 10.1149/07505.0227ecst
WOS
Scopus
РИНЦ
|
7
|
Islamov D.R.
, Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Aliev V.S.
, Saraev A.A.
, Kaichev V.V.
, Ivanova E.V.
, Zamoryanskaya M.V.
, Chin A.
The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element
Monography chapter
Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications.
– Elsevier Inc.,
2016.
– C.493-504. – ISBN 9780128105122. DOI: 10.1016/B978-0-12-810512-2.00020-2
WOS
Scopus
РИНЦ
|
8
|
Перевалов Т.В.
, Исламов Д.Р.
, Сараев А.А.
Атомная и электронная структура поливакансий кислорода в анатазе
Письма в Журнал технической физики. 2016.
Т.42. №11. С.97-104.
РИНЦ
|
9
|
Islamov D.R.
, Kruchinin V.N.
, Aliev V.S.
, Perevalov T.V.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
, Orlov O.M.
, Chin A.
Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides
Advances in Science and Technology. 2016.
V.99. P.69-74. DOI: 10.4028/www.scientific.net/ast.99.69
РИНЦ
|
10
|
Kruchinin V.N.
, Aliev V.S.
, Perevalov T.V.
, Islamov D.R.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
, Cheng C.H.
, Chin A.
Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric HfOx and Low Resistive Transport in RRAM
Microelectronic Engineering. 2015.
V.147. P.165-167. DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.091
WOS
Scopus
РИНЦ
|
11
|
Orlov O.M.
, Krasnikov G.Y.
, Gritsenko V.A.
, Kruchinin V.N.
, Perevalov T.V.
, Aliev V.S.
, Islamov D.R.
, Prosvirin I.P.
Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides
ECS Transactions. 2015.
V.69. N5. P.237-241. DOI: 10.1149/06905.0237ecst
Scopus
РИНЦ
|