1
|
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 окт. 2013
|