Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem Научная публикация
Журнал |
Journal of Structural Chemistry
ISSN: 0022-4766 , E-ISSN: 1573-8779 |
||
---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2000, Том: 41, Номер: 3, Страницы: 529-530 Страниц : 2 DOI: 10.1007/BF02742014 | ||
Ключевые слова | Silicon Nitride; Paramagnetic Center; Nitride Layer; Flat Band; Nitrogen Center | ||
Авторы |
|
||
Организации |
|
Реферат:
Part one of this communication [1] described the nature of the electronic levels arising in the silicon subsystem
of a-Si3N 4. Here we present the results of our investigations on the nitrogen subsystem.
Библиографическая ссылка:
Belyi V.I.
, Rastorguev A.A.
Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem
Journal of Structural Chemistry. 2000. V.41. N3. P.529-530. DOI: 10.1007/BF02742014 WOS Scopus РИНЦ
Luminescence and Electronic Structure of Amorphous Silicon Nitride. Nitrogen Subsystem
Journal of Structural Chemistry. 2000. V.41. N3. P.529-530. DOI: 10.1007/BF02742014 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная версия:
Белый В.И.
, Расторгуев А.А.
Люминесценция аморфного нитрида кремния и его электронное строение. Азотная подсистема
Журнал структурной химии. 2000. Т.41. №3. С.647-649.
Люминесценция аморфного нитрида кремния и его электронное строение. Азотная подсистема
Журнал структурной химии. 2000. Т.41. №3. С.647-649.
Даты:
Поступила в редакцию: | 11 мар. 1999 г. |
Опубликована в печати: | 1 мая 2000 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000165977600024 |
Scopus | 2-s2.0-0034558868 |
РИНЦ | 13340781 |
Chemical Abstracts | 2001:2614 |
Chemical Abstracts (print) | 134:170279 |
OpenAlex | W2065299822 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований