Hole Trapping on the Twofold-Coordinated Silicon Atom in SiO2 Научная публикация
Журнал |
Physics of the Solid State
ISSN: 1063-7834 , E-ISSN: 1090-6460 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2002, Том: 44, Номер: 6, Страницы: 1028-1030 Страниц : 3 DOI: 10.1134/1.1485002 | ||||||
Ключевые слова | Radiation; Spectroscopy; Silicon; SiO2; State Physics | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | International Association for the Promotion of Co-operation with Scientists from the New Independent States of the Former Soviet Union | 97-0347 |
Реферат:
The ability of a neutral diamagnetic twofold-coordinated silicon atom with two paired electrons (=Si: silylene center) in SiO2 to capture charge carriers is investigated by the ab initio density-functional method. It is found that this defect is a hole trap in SiO2. Hole trapping brings about the formation of paramagnetic twofold-coordinated silicon atoms with an unpaired electron =Si·. According to this prediction, the silylene center and the silicon-silicon bond can be responsible for the accumulation of the positive charge in metal-oxide-semiconductor structures under ionizing radiation.
Библиографическая ссылка:
Shaposhnikov A.V.
, Gritsenko V.A.
, Zhidomirov G.M.
, Roger M.
Hole Trapping on the Twofold-Coordinated Silicon Atom in SiO2
Physics of the Solid State. 2002. V.44. N6. P.1028-1030. DOI: 10.1134/1.1485002 WOS Scopus РИНЦ
Hole Trapping on the Twofold-Coordinated Silicon Atom in SiO2
Physics of the Solid State. 2002. V.44. N6. P.1028-1030. DOI: 10.1134/1.1485002 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная:
Шапошников А.В.
, Гриценко В.А.
, Жидомиров Г.М.
, Roger M.
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2
Физика твердого тела. 2002. Т.44. №6. С.985-987. РИНЦ
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2
Физика твердого тела. 2002. Т.44. №6. С.985-987. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 1 авг. 2001 г. |
Опубликована в печати: | 1 июн. 2002 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000208106400005 |
Scopus | 2-s2.0-0036017821 |
РИНЦ | 13403155 |
Chemical Abstracts | 2002:433536 |
Chemical Abstracts (print) | 137:208961 |
OpenAlex | W2041333071 |