Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 Научная публикация
Журнал |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2002, Том: 44, Номер: 6, Страницы: 985-987 Страниц : 3 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | International Association for the Promotion of Co-operation with Scientists from the New Independent States of the Former Soviet Union | 97-0347 |
Реферат:
Неэмпирическим методом функционала плотности изучена способность нейтрального диамагнитного двухкоординированного атома кремния с двумя спаренными электронами (силиленовый центр =Si:) в SiO2 захватывать носители заряда. Установлено, что этот дефект является дырочной ловушкой в SiO2. Захват дырки приводит к образованию парамагнитного двухкоординированного атома кремния с неспаренным электроном =Sio. Согласно этому предсказанию, силиленовый центр наряду с кремний-кремниевой связью может быть ответствен за накопление положительного заряда в МОП структурах при ионизирующем излучении. Работа была поддержана грантом INTAS N 97-0347.
Библиографическая ссылка:
Шапошников А.В.
, Гриценко В.А.
, Жидомиров Г.М.
, Roger M.
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2
Физика твердого тела. 2002. Т.44. №6. С.985-987. РИНЦ
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2
Физика твердого тела. 2002. Т.44. №6. С.985-987. РИНЦ
Переводная версия:
Shaposhnikov A.V.
, Gritsenko V.A.
, Zhidomirov G.M.
, Roger M.
Hole Trapping on the Twofold-Coordinated Silicon Atom in SiO2
Physics of the Solid State. 2002. V.44. N6. P.1028-1030. DOI: 10.1134/1.1485002 WOS Scopus РИНЦ
Hole Trapping on the Twofold-Coordinated Silicon Atom in SiO2
Physics of the Solid State. 2002. V.44. N6. P.1028-1030. DOI: 10.1134/1.1485002 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 1 авг. 2001 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 21324163 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований