Магнитополевые и температурные зависимости электросопротивления углерода луковичной структуры
Научная публикация
Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
Журнал |
Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика
ISSN: 1818-7994
|
Вых. Данные |
Год: 2008,
Том: 3,
Номер: 2,
Страницы: 95-98
Страниц
: 4
|
Авторы |
Ткачев Е.Н.
1,2
,
Романенко А.И.
1,2
,
Аникеева О.Б.
1,2
,
Буряков Т.И.
1,2
,
Жданов К.Р.
1,2
,
Кузнецов В.Л.
2,3
,
Мосеенков С.И.
2,3
|
Организации |
1 |
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
|
2 |
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
|
3 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
|
Информация о финансировании (3)
1
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
2.1.1.1604
|
2
|
International Association for the Promotion of Co-operation with Scientists from the New Independent States of the Former Soviet Union
|
06-1000013-9225
|
3
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
02.513.11.3348
|
В работе исследовались электрофизические свойства образцов углерода луковичной структуры, которые были синтезированы методом термической графитизации наноалмазов. Были измерены температурные зависимости электросопротивления от 4,2 до 300 K и зависимости магнетосопротивления в магнитных полях до 6 Тл при температуре 4,2 K. Установлено, что температурная зависимость электросопротивления образцов подчиняется закону Мотта для одномерного случая. Также наблюдалось квадратично возрастающее положительное магнетосопротивление до 6 Тл. Из полученных результатов измерений была оценена плотность состояний электронов проводимости на уровне Ферми и рассчитан радиус локализации, который сопоставим с размером луковиц.
In this paper electro physical properties of samples of onion-like carbon have been investigated. Samples have been synthesized by method of thermal graphitization of nanodiamonds. 1D Mott variable-range hopping conductivity has been observed for temperature dependences of resistance of nanoonions volume samples at temperature range 4,2-300 K. Also second-degree increase of positive magnetoresistance up to 6 tesla has been revealed. Some coefficients such as localization radius a, density of states on Fermi level N(EF) have been estimated.