Исследование тонких пленок Ge с аморфно-нанокристаллической структурой методами EXAFS-спектроскопии и АСМ
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
ISSN: 1028-0960
, E-ISSN: 0207-3528
|
| Вых. Данные |
Год: 2010,
Номер: 2,
Страницы: 60-65
Страниц
: 6
|
| Авторы |
Валеев Р.Г.
1,2
,
Деев А.Н.
1
,
Сурнин Д.В.
1
,
Кривенцов В.В.
3
,
Карбан О.В.
1
,
Ветошкин В.М.
1,2
,
Пивоварова О.И.
1
|
| Организации |
| 1 |
Физико-технический институт УрО РАН
|
| 2 |
Удмуртский государственный университет
|
| 3 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
|
Информация о финансировании (2)
|
1
|
Российский фонд фундаментальных исследований
|
06-03-32662
|
|
2
|
Российский фонд фундаментальных исследований
|
07-02-00391
|
Методами EXAFS-спектроскопии и атомно-силовой микроскопии изучались локальная атомная структура и морфология поверхности тонких полупроводниковых пленок Ge. Пленки были получены методом термического испарения материала в сверхвысоком вакууме при различных температурах подложки. Показано, что пленки состоят из аморфной и нанокристаллической фаз. Процентное содержание фаз зависит от температуры конденсации пленок. Зависимость размеров зерен от температуры конденсации при T = 100°С не соответствует классическому линейному закону.