Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства
Научная публикация
| Общая информация |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294
|
| Вых. Данные |
Год: 2012,
Том: 54,
Номер: 7,
Страницы: 1405-1411
Страниц
: 7
|
| Авторы |
Гребенькова Ю.Э.
1
,
Черниченко А.В.
1
,
Великанов Д.А.
1,2
,
Турпанов И.А.
1
,
Мухамеджанов Э.Х.
3
,
Зубавичус Я.В.
3
,
Черков А.К.
4
,
Патрин Г.С.
1,2
|
| Организации |
| 1 |
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
|
| 2 |
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
|
| 3 |
Национальный исследовательский центр ”Курчатовский институт“, Москва, Россия
|
| 4 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
|
|
Информация о финансировании (3)
|
1
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
16.552.11.7003
|
|
2
|
Российский фонд фундаментальных исследований
|
11-02-00675 (01201167274)
|
|
3
|
Российский фонд фундаментальных исследований
|
11-02-00972 (01201164211)
|
Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле. Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00972 и 11-02-00675; синхротронные исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования "Курчатовский центр синхротронного излучения и нанотехнологий" в рамках государственного контракта N 16.552.11.7003.