Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах Научная публикация
Журнал |
Автометрия
ISSN: 0320-7102 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2016, Том: 52, Номер: 5, Страницы: 31-36 Страниц : 6 DOI: 10.15372/AUT20160505 | ||||||
Ключевые слова | лазерный диод, отрицательное дифференциальное сопротивление | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.
Библиографическая ссылка:
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах
Автометрия. 2016. Т.52. №5. С.31-36. DOI: 10.15372/AUT20160505 RSCI РИНЦ
Отрицательное дифференциальное сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN–диодах
Автометрия. 2016. Т.52. №5. С.31-36. DOI: 10.15372/AUT20160505 RSCI РИНЦ
Переводная:
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2016. V.52. N5. P.442-446. DOI: 10.3103/S8756699016050058 WOS Scopus РИНЦ
Negative Differential Resistance in High-Power InGaN/GaN Laser Diode
Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2016. V.52. N5. P.442-446. DOI: 10.3103/S8756699016050058 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 2 февр. 2016 г. |
Опубликована в печати: | 1 сент. 2016 г. |
Идентификаторы БД:
Russian Science Citation Index (RSCI) | RSCI:27182629 |
РИНЦ | 27182629 |
OpenAlex | W4229581383 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований