Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов Научная публикация
Конференция |
Нанофизика и наноэлектроника. XX Международный Симпозиум 14-18 мар. 2016 , Нижний Новгород |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Журнал |
Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222 |
||||||
Вых. Данные | Год: 2016, Том: 50, Номер: 11, Страницы: 1513-1518 Страниц : 6 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Реферат:
Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.
Библиографическая ссылка:
Шамирзаев В.Т.
, Гайслер В.А.
, Шамирзаев Т.С.
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
Физика и техника полупроводников. 2016. Т.50. №11. С.1513-1518. РИНЦ
Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
Физика и техника полупроводников. 2016. Т.50. №11. С.1513-1518. РИНЦ
Переводная версия:
Shamirzaev V.T.
, Gaisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
Edge and Defect Luminescence of Powerful Ultraviolet InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Semiconductors. 2016. V.50. N11. P.1493-1498. DOI: 10.1134/S1063782616110233 WOS Scopus РИНЦ
Edge and Defect Luminescence of Powerful Ultraviolet InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
Semiconductors. 2016. V.50. N11. P.1493-1498. DOI: 10.1134/S1063782616110233 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 27 апр. 2016 г. |
Принята к публикации: | 10 мая 2016 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 27369041 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований