Синтез и исследование структуры массивов наноструктур арсенида галлия
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Известия Российской академии наук. Серия физическая
ISSN: 0367-6765
|
| Вых. Данные |
Год: 2013,
Том: 77,
Номер: 9,
Страницы: 1323-1326
Страниц
: 4
DOI:
10.7868/S0367676513090500
|
| Авторы |
Валеев Р.Г.
1,2
,
Кобзиев В.Ф.
2
,
Кривенцов В.В.
3
,
Мезенцев Н.А.
4
|
| Организации |
| 1 |
Физико-технический институт УрО РАН
|
| 2 |
Удмуртский государственный университет
|
| 3 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
| 4 |
Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера СО РАН
|
|
Информация о финансировании (6)
|
1
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
02.740.11.0543
|
|
2
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
16.513.11.3043
|
|
3
|
Министерство образования и науки Российской Федерации
|
16.518.11.7022
|
|
4
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
11 2 НП 411
|
|
5
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-П-2-1038
|
|
6
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-С-2-1024
|
В работе представлен новый подход к синтезу упорядоченных массивов наноструктур GaAs методом термического напыления на матрицы пористого оксида алюминия с упорядоченным расположением каналов. Изучены геометрические характеристики наноструктур, их структурное состояние и локальная атомная структура. Параметры локальной атомной структуры, такие как межатомные расстояния, координационные числа, получены в сравнении с результатами исследований сплошной пленки GaAs.