EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga2Se3 Научная публикация
Журнал |
Известия Российской академии наук. Серия физическая
ISSN: 0367-6765 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2013, Том: 77, Номер: 9, Страницы: 1320-1322 Страниц : 3 DOI: 10.7868/S0367676513090494 | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (6)
1 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 16.518.11.7019 |
2 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 02.740.11.0543 |
3 | Министерство образования и науки Российской Федерации | 16.513.11.3043 |
4 | Уральское отделение Российской академии наук | 11 2 НП 411 |
5 | Уральское отделение Российской академии наук | 12-П-2-1038 |
6 | Уральское отделение Российской академии наук | 12-С-2-1024 |
Реферат:
Представлены результаты структурного исследования методом EXAFS-спектроскопии объемного материала Ga2Se3, перспективного для применения в качестве поглощающих слоев в высокоэффективных солнечных элементах. Получены структурные данные для локального окружения галлия и селена, такие как межатомные расстояния, координационные числа в сравнении с модельными расчетами, проведенными пакетом программ FEFF-8.
Библиографическая ссылка:
Валеев Р.Г.
, Кривенцов В.В.
, Мезенцев Н.А.
EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga2Se3
Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2013. Т.77. №9. С.1320-1322. DOI: 10.7868/S0367676513090494 РИНЦ
EXAFS-исследование перспективного полупроводникового материала Ga2Se3
Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2013. Т.77. №9. С.1320-1322. DOI: 10.7868/S0367676513090494 РИНЦ
Переводная:
Valeev R.G.
, Kriventsov V.V.
, Mezentsev N.A.
EXAS Study of the Promising Semiconductor Material Ga2Se3
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2013. V.77. N9. P.1154-1156. DOI: 10.3103/S1062873813090487 Scopus РИНЦ
EXAS Study of the Promising Semiconductor Material Ga2Se3
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2013. V.77. N9. P.1154-1156. DOI: 10.3103/S1062873813090487 Scopus РИНЦ
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 20280527 |
OpenAlex | W2312944630 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований