Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния Тезисы доклада
Конференция |
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013 , Новосибирск |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Сборник | Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» Сборник, ИНХ СО РАН. Новосибирск.2013. 124 c. ISBN 9785901688281. РИНЦ |
||||||||
Вых. Данные | Год: 2013, Страницы: 80 Страниц : 1 | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Библиографическая ссылка:
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
Идентификаторы БД:
Нет идентификаторов
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований