Структурное исследование полупроводниковых материалов на основе соединений галлия | Sciact - CRIS-система Института катализа

Общее

Язык: Русский, Жанр: Тезисы доклада (Meeting Abstracts),
Статус опубликования: Опубликована, Оригинальность: Оригинальная

Конференция

XIX Национальная конференция по использованию Синхротронного Излучения
25-28 июн. 2012 , Новосибирск

Сборник

XIX Национальная конференция по использованию Синхротронного Излучения "СИ-2012"
Сборник, ИЯФ СО РАН. Новосибирск.2012. 131 c.

Вых. Данные

Год: 2012, Страницы: 112 Страниц : 1

Авторы

^1,2 , Кривенцов В.В.

³ , Деев А.Н. ¹ , Кобзиев В.Ф. ² , Мухгалин В.В. ¹

Организации

1	Физико-технический институт ФТИ УрО РАН, Ижевск, Россия
2	Удмуртский госуниверситет, Ижевск, Россия
3	Институт катализа СО РАН, Новосибирск, Россия

1	Президиум РАН	24
2	Президиум РАН	20
3	Уральское отделение Российской академии наук	12-С-2-1024

Валеев Р.Г. , Кривенцов В.В. , Деев А.Н. , Кобзиев В.Ф. , Мухгалин В.В.
Структурное исследование полупроводниковых материалов на основе соединений галлия
В сборнике XIX Национальная конференция по использованию Синхротронного Излучения "СИ-2012". – ИЯФ СО РАН., 2012. – C.112.

Нет идентификаторов