Строение и электронная структура a-SiNx:H Научная публикация
Журнал |
Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0044-4510 |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2019, Том: 156, Номер: 5(11), Страницы: 1003-1015 Страниц : 13 DOI: 10.1134/s0044451019110166 | ||||||||||
Авторы |
|
||||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (3)
1 | Российский научный фонд | 18-49-08001 (АААА-А18-118030590007-2) |
2 | Ministry of Science and Technology | 107-2923-E-009-001-MY3 |
3 | Российский фонд фундаментальных исследований | 19-29-03018 |
Реферат:
Работа посвящена исследованию атомарной структуры и электронного спектра пленок a-SiNx : H, выращенных с применением плазмохимического осаждения с варьированием потоков аммиака и моносилана, что позволило изменять стехиометрический параметр x в широких пределах (от 0.73 до 1.33). Пленки были исследованы с применением комплекса структурных и оптических методик с целью определения стехиометрического параметра x и его влияния на положение потолка валентной зоны и значение энергетической щели в плотности электронных состояний. Было проведено сравнение экспериментальных и рассчитанных значений параметров электронной структуры a-SiNx и получено достаточно хорошее их совпадение в широких пределах изменения состава (параметра x). Полученные экспериментальные данные позволят с лучшей точностью моделировать характеристики электронного транспорта в пленках нестехиометрического нитрида кремния, что важно для создания на их основе мемристоров.
Библиографическая ссылка:
Гриценко В.А.
, Кручинин В.Н.
, Просвирин И.П.
, Новиков Ю.Н.
, Чин А.
, Володин В.А.
Строение и электронная структура a-SiNx:H
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.156. №5(11). С.1003-1015. DOI: 10.1134/s0044451019110166 РИНЦ
Строение и электронная структура a-SiNx:H
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.156. №5(11). С.1003-1015. DOI: 10.1134/s0044451019110166 РИНЦ
Переводная:
Gritsenko V.A.
, Kruchinin V.N.
, Prosvirin I.P.
, Novikov Y.N.
, Chin A.
, Volodin V.A.
Atomic and Electronic Structures of a-SiNx:H
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2019. V.129. N5. P.924-934. DOI: 10.1134/S1063776119080132 WOS Scopus РИНЦ
Atomic and Electronic Structures of a-SiNx:H
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2019. V.129. N5. P.924-934. DOI: 10.1134/S1063776119080132 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 15 февр. 2019 г. |
Принята к публикации: | 11 апр. 2019 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 41295120 |
OpenAlex | W2987229743 |