Study of Thin Ge Films with Amorphous and Nanocrystalline Phases via the Techniques of EXAFS Spectroscopy and AFM Научная публикация
Журнал |
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques
ISSN: 1027-4510 , E-ISSN: 1819-7094 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2010, Том: 4, Номер: 1, Страницы: 136-141 Страниц : 6 DOI: 10.1134/S1027451010010209 | ||||||
Ключевые слова | Atomic Force Microscopy Image; Surface Investigation; Neutron Technique; Pair Correlation Function; Ultrahigh Vacuum | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (2)
1 | Российский фонд фундаментальных исследований | 06-03-32662 |
2 | Российский фонд фундаментальных исследований | 07-02-00391 |
Реферат:
The local atomic structure and surface morphology of thin semiconductor films of Ge have been studied via extended X-ray absorption fine structure spectroscopy and atomic force microscopy. The films have been obtained by thermal evaporation of a material in an ultrahigh vacuum at different substrate temperatures. The films contain both amorphous and nanocrystalline phases. The percentage of the phases depends on the condensation temperature. The classical linear dependence of grain sizes on condensation temperature T is violated at T=100°C.
Библиографическая ссылка:
Valeev R.G.
, Deev A.N.
, Surnin D.V.
, Kriventsov V.V.
, Karban O.V.
, Vetoshkin V.M.
, Pivovarova O.I.
Study of Thin Ge Films with Amorphous and Nanocrystalline Phases via the Techniques of EXAFS Spectroscopy and AFM
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2010. V.4. N1. P.136-141. DOI: 10.1134/S1027451010010209 WOS Scopus РИНЦ
Study of Thin Ge Films with Amorphous and Nanocrystalline Phases via the Techniques of EXAFS Spectroscopy and AFM
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2010. V.4. N1. P.136-141. DOI: 10.1134/S1027451010010209 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная версия:
Валеев Р.Г.
, Деев А.Н.
, Сурнин Д.В.
, Кривенцов В.В.
, Карбан О.В.
, Ветошкин В.М.
, Пивоварова О.И.
Исследование тонких пленок Ge с аморфно-нанокристаллической структурой методами EXAFS-спектроскопии и АСМ
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. №2. С.60-65. РИНЦ
Исследование тонких пленок Ge с аморфно-нанокристаллической структурой методами EXAFS-спектроскопии и АСМ
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. №2. С.60-65. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 14 июл. 2009 г. |
Опубликована в печати: | 1 февр. 2010 г. |
Опубликована online: | 1 мар. 2010 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000275122300020 |
Scopus | 2-s2.0-77649220779 |
РИНЦ | 15320637 |
OpenAlex | W2014764387 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований