Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением Научная публикация
Журнал |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2019, Том: 61, Номер: 12, Страницы: 2528–2535 Страниц : 8 DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552 | ||||||||
Ключевые слова | оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (3)
1 | Российский научный фонд | 18-49-08001 (АААА-А18-118030590007-2) |
2 | Ministry of Science and Technology | 107-2923-E-009-001-MY3 |
3 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
Реферат:
Работа посвящена исследованию атомной структуры и электронного спектра пленок a-SiOx : H, нанесенных на кремниевые и стеклянные подложки методом плазмохимического осаждения. В зависимости от условий подачи кислорода в реактор стехиометрический параметр x пленок варьировался в диапазоне значений от 0.57 до 2. Характеризация строения пленок и особенностей их электронной структуры в зависимости от величины параметра x осуществлялась с применением комплекса структурных и оптических методик, а также ab initio квантово-химического моделирования для модельной структуры SiOx. Установлено, что изучаемые пленки SiOx : H главным образом состоят из субоксидов кремния SiOy, а также кластеров SiO2 и аморфного кремния. На основе пространственных флуктуаций химического состава предложена модель флуктуации ширины запрещенной зоны и потенциала для электронов и дырок в SiOx. Полученные данные позволят более точно моделировать транспорт заряда в пленках a-SiOx : H, что важно для создания на их основе элементов энергонезависимой памяти и мемристоров. Ключевые слова: оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM).
Библиографическая ссылка:
Перевалов Т.В.
, Володин В.А.
, Новиков Ю.Н.
, Камаев Г.Н.
, Гриценко В.А.
, Просвирин И.П.
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением
Физика твердого тела. 2019. Т.61. №12. С.2528–2535. DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552 РИНЦ
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением
Физика твердого тела. 2019. Т.61. №12. С.2528–2535. DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552 РИНЦ
Переводная:
Perevalov T.V.
, Volodin V.A.
, Novikov Y.N.
, Kamaev G.N.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Physics of the Solid State. 2019. V.61. N12. P.2560-2568. DOI: 10.1134/s1063783419120370 WOS РИНЦ
Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Physics of the Solid State. 2019. V.61. N12. P.2560-2568. DOI: 10.1134/s1063783419120370 WOS РИНЦ
Файлы:
Полный текст от издателя
Даты:
Поступила в редакцию: | 3 июл. 2019 г. |
Принята к публикации: | 15 июл. 2019 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 42571166 |
OpenAlex | W2990370230 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 5 |