Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Разделы:

  • Статьи
  • Книги
  • Доклады на конференциях
  • Тезисы докладов
  • Патенты

Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением Научная публикация

Общее Язык: Русский, Жанр: Статья (Full article),
Статус опубликования: Опубликована, Оригинальность: Оригинальная
Журнал Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294
Вых. Данные Год: 2019, Том: 61, Номер: 12, Страницы: 2528–2535 Страниц : 8 DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552
Ключевые слова оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM
Авторы Перевалов Т.В. 1,2 , Володин В.А. 1,2 , Новиков Ю.Н. 2 , Камаев Г.Н. 1 , Гриценко В.А. 1,2,3 , Просвирин И.П. 4
Организации
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2 Новосибирский государственный университет
3 Новосибирский государственный технический университет
4 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН

Информация о финансировании (3)

1 Российский научный фонд 18-49-08001 (АААА-А18-118030590007-2)
2 Ministry of Science and Technology 107-2923-E-009-001-MY3
3 Российский научный фонд 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)

Реферат: Работа посвящена исследованию атомной структуры и электронного спектра пленок a-SiOx : H, нанесенных на кремниевые и стеклянные подложки методом плазмохимического осаждения. В зависимости от условий подачи кислорода в реактор стехиометрический параметр x пленок варьировался в диапазоне значений от 0.57 до 2. Характеризация строения пленок и особенностей их электронной структуры в зависимости от величины параметра x осуществлялась с применением комплекса структурных и оптических методик, а также ab initio квантово-химического моделирования для модельной структуры SiOx. Установлено, что изучаемые пленки SiOx : H главным образом состоят из субоксидов кремния SiOy, а также кластеров SiO2 и аморфного кремния. На основе пространственных флуктуаций химического состава предложена модель флуктуации ширины запрещенной зоны и потенциала для электронов и дырок в SiOx. Полученные данные позволят более точно моделировать транспорт заряда в пленках a-SiOx : H, что важно для создания на их основе элементов энергонезависимой памяти и мемристоров. Ключевые слова: оксид кремния (SiO2), комбинационное (рамановское) рассеяние, фотоэлектронная спектроскопия (XPS, РФЭС), просвечивающая электронная микроскопия (HRTEM, ВРПЭМ), плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD), резистивная память (RRAM).
Библиографическая ссылка: Перевалов Т.В. , Володин В.А. , Новиков Ю.Н. , Камаев Г.Н. , Гриценко В.А. , Просвирин И.П.
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiOx, синтезированном плазмохимическим осаждением
Физика твердого тела. 2019. Т.61. №12. С.2528–2535. DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48589.552 РИНЦ
Переводная версия: Perevalov T.V. , Volodin V.A. , Novikov Y.N. , Kamaev G.N. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P.
Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Physics of the Solid State. 2019. V.61. N12. P.2560-2568. DOI: 10.1134/s1063783419120370 WOS РИНЦ
Файлы: Полный текст от издателя
Даты:
Поступила в редакцию: 3 июл. 2019 г.
Принята к публикации: 15 июл. 2019 г.
Идентификаторы:
РИНЦ 42571166
Альметрики: