Sciact
  • EN
  • RU

Nanowired Structure, Optical Properties and Conduction Band Offset of RF Magnetron-Deposited n-Si\In2O3:Er Films Научная публикация

Журнал Materials Research Express
, E-ISSN: 2053-1591
Вых. Данные Год: 2020, Том: 7, Номер: 12, Номер статьи : 125903, Страниц : 11 DOI: 10.1088/2053-1591/abd06b
Ключевые слова Silicon; In2O3; Er; thin films; nanowires; photoluminescence; band offset; thermionic emission; >
Авторы Feklistov K V 1,6 , Lemzyakov A G 2 , Prosvirin I P 3 , Gismatulin A A 1,5 , Shklyaev A A 1,5 , Zhivodkov Y A 1 , Krivyakin G К 1,5 , Komonov A I 1 , Kozhukhov АS 1,5 , Spesivsev E V 1 , Gulyaev D V 1 , Abramkin D S 1,5 , Pugachev A M 4 , Esaev D G 1 , Sidorov G Yu 1
Организации
1 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia
2 Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia
3 Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia
4 Institute of Automation and Electrometry SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia
5 Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia
6 Academ Infrared LLC, 630090, Novosibirsk, Russia

Информация о финансировании (3)

1 Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0306-2019-0005
2 Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
3 Федеральное агентство научных организаций России 007-03-599 (АААА-А17-117052410033-9)

Реферат: RF magnetron-deposited Si\In2O3:Er films have the structure of the single-crystalline bixbyite bcc In2O3 nanowires bunched into the columns extended across the films. The obtained films have a typical In2O3 optical band gap of 3.55 eV and demonstrate the 1.54 mu m Er3+ room temperature photoluminescence. The current across the film flows inside the columns through the nanowires. The current through the MOS-structure with the intermediate low barrier In2O3:Er dielectric was investigated by the thermionic emission approach, with respect to the partial voltage drop in silicon. Schottky plots ln(I/T-2) versus 1/kT of forward currents at small biases and backward currents in saturation give the electron forward n-Si\In2O3:Er barrier equal to 0.14 eV and the backward In\In2O3:Er barrier equal to 0.21 eV.
Библиографическая ссылка: Feklistov K.V. , Lemzyakov A.G. , Prosvirin I.P. , Gismatulin A.A. , Shklyaev A.A. , Zhivodkov Y.A. , Krivyakin G.К. , Komonov A.I. , Kozhukhov А. , Spesivsev E.V. , Gulyaev D.V. , Abramkin D.S. , Pugachev A.M. , Esaev D.G. , Sidorov G.Y.
Nanowired Structure, Optical Properties and Conduction Band Offset of RF Magnetron-Deposited n-Si\In2O3:Er Films
Materials Research Express. 2020. V.7. N12. 125903 :1-11. DOI: 10.1088/2053-1591/abd06b WOS Scopus РИНЦ
Файлы: Полный текст от издателя
Даты:
Поступила в редакцию: 24 окт. 2020 г.
Принята к публикации: 3 дек. 2020 г.
Опубликована online: 16 дек. 2020 г.
Идентификаторы:
Web of science WOS:000599483800001
Scopus 2-s2.0-85098750392
РИНЦ 45035535
Chemical Abstracts 2021:390496
Альметрики: