Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma Научная публикация
Журнал |
Journal of Experimental and Theoretical Physics
ISSN: 1063-7761 , E-ISSN: 1090-6509 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2020, Том: 131, Номер: 6, Страницы: 940-944 Страниц : 5 DOI: 10.1134/s1063776120110084 | ||||||
Ключевые слова | Crystal atomic structure; Cyclotrons; Electron cyclotron resonance; Electronic structure; Hydrogen storage; Nonvolatile storage; Photoelectron spectroscopy; Photoelectrons; Photons; Silica; Silicon oxides; Thin films; X ray photoelectron spectroscopy | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
Реферат:
The silicon oxide thin films obtained by thermal SiO2 treatment in hydrogen electron cyclotron resonance plasma at various exposure times are investigated. Using X-ray photoelectron spectroscopy, we have established that such treatment leads to a significant oxygen depletion of thermal SiO2, the more so the longer the treatment time. The atomic structure of the SiOx < 2 films obtained in this way is described by the random bonding model. The presence of oxygen vacancies in the plasma-treated films is confirmed by comparing the experimental valence band photoelectron spectra and those calculated from first principles, which allows the parameter x to be estimated. We show that thermal silicon oxide films treated in hydrogen plasma can be successfully used as a storage medium for a nonvolatile resistive memory cell.
Библиографическая ссылка:
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
, Prosvirin I.P.
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020. V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084 WOS Scopus РИНЦ
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2020. V.131. N6. P.940-944. DOI: 10.1134/s1063776120110084 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная:
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
, Просвирин И.П.
Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x РИНЦ
Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса
Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т.158. №6(12). С.1083-1088. DOI: 10.31857/s004445102012007x РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 7 мая 2020 г. |
Принята к публикации: | 1 июл. 2020 г. |
Опубликована в печати: | 1 дек. 2020 г. |
Опубликована online: | 4 февр. 2021 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000614892700007 |
Scopus | 2-s2.0-85100572713 |
РИНЦ | 46745507 |
Chemical Abstracts | 2021:320497 |
OpenAlex | W3128416068 |