Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Разделы:

  • Статьи
  • Книги
  • Доклады на конференциях
  • Тезисы докладов
  • Патенты

Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Научная публикация

Общее Язык: Английский, Жанр: Статья (Full article),
Статус опубликования: Опубликована, Оригинальность: Переводная
Журнал Semiconductors
ISSN: 1063-7826 , E-ISSN: 1090-6479
Вых. Данные Год: 2012, Том: 46, Номер: 4, Страницы: 552-558 Страниц : 7 DOI: 10.1134/S1063782612040239
Авторы Valisheva N.A. 1 , Tereshchenko O.E. 1,3 , Prosvirin I.P. 2 , Kalinkin A.V. 2 , Goljashov V.A. 3 , Levtzova T.A. 1 , Bukhtiyarov V.I. 2
Организации
1 Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 630090 Russia
2 Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 630090 Russia
3 Novosibirsk State University, Novosibirsk, 630090 Russia

Информация о финансировании (1)

1 Президиум СО РАН 99

Реферат: The chemical composition of ∼20-nm-thick anodic layers grown on InAs (111)III in alkaline and acid electrolytes containing or not containing NH4F is studied by X-ray photoelectron spectroscopy. It is shown that the composition of fluorinated layers is controlled by the relation between the concentrations of fluorine and hydroxide ions in the electrolyte and by diffusion processes in the growing layer. Fluorine accumulates at the (anodic layer)/InAs interface. Oxidation of InAs in an acid electrolyte with a low oxygen content and a high NH4F content brings about the formation of anodic layers with a high content of fluorine and elemental arsenic and the formation of an oxygen-free InF x /InAs interface. Fluorinated layers grown in an alkaline electrolyte with a high content of O2− and/or OH− groups contain approximately three times less fluorine and consist of indium and arsenic oxyfluorides. No distinction between the compositions of the layers grown in both types of fluorine-free electrolytes is established.
Библиографическая ссылка: Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная версия: Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: 25 авг. 2011 г.
Принята к публикации: 3 окт. 2011 г.
Опубликована в печати: 1 апр. 2012 г.
Опубликована online: 18 апр. 2012 г.
Идентификаторы:
Web of science WOS:000303054200024
Scopus 2-s2.0-84859837382
РИНЦ 17982973
Chemical Abstracts 2012:562893
Chemical Abstracts (print) 156:652487
Альметрики: