Детальное изучение зонной структуры оксида цинка методами РФЭС и УФЭС СИ
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463
|
| Вых. Данные |
Год: 1997,
Том: 38,
Номер: 5,
Страницы: 868-876
Страниц
: 9
|
| Ключевые слова |
ЦИНК ОКСИД, ЗОННАЯ СТРУКТУРА, СПЕКТРЫ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ, УФ-СПЕКТРЫ РЕНТГЕНОЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ZN3D-СОСТОЯНИЙ, СТЕХИОМЕТРИЯ, СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ |
| Авторы |
Леонтьев С.А.
1
,
Кощеев С.В.
1
,
Девятов В.Г.
1
,
Черкашин А.Е.
1
,
Михеева Э.П.
1
|
| Организации |
| 1 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр-т акад. Лаврентьева, 5
|
|
В настоящей работе фотоэлектронные спектры оксида цинка были измерены в широком диапазоне энергий квантов (30 — 150 и 1253,6 эВ) и показано, что форма спектра валентной O2p-зоны зависит от энергии падающего кванта. Наиболее вероятной причиной изменения формы спектров O2р-зоны является наличие в ней примеси Zn3d-электронов, которые наряду с Zn4s-электронами принимают участие в ковалентном связывании Zn и O. Анализ зависимости отношения интегральной интенсивности O2р-зоны к интенсивности Zn3d-пика от hν позволил определить количественно процентное содержание примеси Zn3d-cocтояний в O2p-зоне, равное 9 %. С учетом полученной доли участвующих в связи Zn3d-электронов были рассчитаны стехиометрия и профиль отношения концентрации по глубине.