Моделирование фотоэлектронных спектров валентной O2p-зоны оксида цинка с использованием кластерных расчетов методом Xα-рассеянных волн
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Журнал структурной химии
ISSN: 0136-7463
|
| Вых. Данные |
Год: 1997,
Том: 38,
Номер: 5,
Страницы: 877-886
Страниц
: 10
|
| Авторы |
Михеева Э.П.
1
,
Жидомиров Г.М.
1
,
Рузанкин С.Ф.
1
,
Леонтьев С.А.
1
,
Девятов В.Г.
1
,
Кощеев С.В.
1
,
Черкашин А.Е.
1
|
| Организации |
| 1 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр-т акад. Лаврентьева, 5
|
|
На основании кластерных расчетов методом Xα-рассеянных волн осуществлено моделирование фотоэлектронных спектров (ФЭС) валентной O2p-зоны оксида цинка в широком диапазоне энергий падающего кванта hν (от 30 до 150 эВ и 1253,6 эВ). Для кластера Zn10O10 рассчитанные интенсивности ФЭС хорошо воспроизводят характерные особенности экспериментальных спектров. Показано, что Zn3d-электроны принимают участие в ковалентном связывании цинка и кислорода. Примесь Zn3d-состояний в гибридных орбиталях валентной зоны составляет ≈7%.