EXAFS- и РФЭС-исследование наноструктур германия и арсенида галлия в матрицах пористого оксида алюминия
Научная публикация
Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
Журнал |
Известия Российской академии наук. Серия физическая
ISSN: 0367-6765
|
Вых. Данные |
Год: 2015,
Том: 79,
Номер: 1,
Страницы: 160-164
Страниц
: 5
DOI:
10.7868/S0367676515010330
|
Авторы |
Валеев Р.Г.
1,2
,
Бельтюков А.Н.
1
,
Кривенцов В.В.
3
,
Мезенцев Н.А.
4
,
Ветошкин В.М.
1,2
|
Организации |
1 |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт Уральского отделения
Российской академии наук, Ижевск.
|
2 |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Удмуртский государственный университет, Ижевск.
|
3 |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа имени Г.К. Борескова Сибирского
отделения Российской академии наук, Новосибирск
|
4 |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск.
|
|
Информация о финансировании (5)
1
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-П-2-1038
|
2
|
Уральское отделение Российской академии наук
|
12-С-2-1024
|
3
|
Президиум РАН
|
24.2
|
4
|
Президиум РАН
|
24.3
|
5
|
Российский фонд фундаментальных исследований
|
|
Представлены результаты исследований локальной атомной структуры и характера химических связей германия и арсенида галлия как типичных представителей одного изоэлектронного ряда, полученных методом термического испарения порошка материала на пористые матрицы анодного оксида алюминия и подложки поликора. Показано, что механизм формирования локальной атомной структуры Ge и GaAs в целом одинаков. Также наблюдаются изменения в локальной атомной структуре материала, полученного в пористых матрицах, по сравнению с пленками на поверхности поликора, связанные с различием механизма конденсации на развитой и гладкой поверхностях.