Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
Научная публикация
| Общее |
Язык:
Русский,
Жанр:
Статья (Full article),
Статус опубликования:
Опубликована,
Оригинальность:
Оригинальная
|
| Журнал |
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X
|
| Вых. Данные |
Год: 2011,
Том: 94,
Номер: 6,
Страницы: 500-503
Страниц
: 4
|
| Авторы |
Терещенко О.Е.
1,2
,
Кох К.А.
3
,
Атучин В.В.
1
,
Романюк К.Н.
1,2
,
Макаренко С.В.
2
,
Голяшов В.А.
2
,
Кожухов А.С.
1,2
,
Просвирин И.П.
4
,
Шкляев А.А.
1,2
|
| Организации |
| 1 |
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
|
| 2 |
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
|
| 3 |
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отд. РАН
|
| 4 |
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
|
|
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Ві2Sе3 к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (~ 1 см2) со средней квадратичной шероховатостью менее 0.1 нм и атомным разрешением структуры (1х1)-(0001) Ві2Sе3. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Ві2Sе3.