Plasma Deposition and Properties of Silicon Carbonitride Films Научная публикация
Журнал |
Inorganic Materials
ISSN: 0020-1685 , E-ISSN: 1608-3172 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2005, Том: 41, Номер: 7, Страницы: 706-712 Страниц : 7 DOI: 10.1007/s10789-005-0195-9 | ||||||
Ключевые слова | X-RAY-ABSORPTION; NITRIDE FILMS; AMORPHOUS-CARBON; PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY; MICROSTRUCTURE; XPS | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (4)
1 | Сибирское отделение Российской академии наук | 114 |
2 | Российский фонд фундаментальных исследований | 03-03-32080 |
3 | Совет по грантам Президента Российской Федерации | НШ-1042.2003.3 |
4 | Совет по грантам Президента Российской Федерации | НШ-1129.2003.3 |
Реферат:
A variety of advanced analytical techniques were used to characterize silicon carbonitride films grown from new volatile nitrogen-rich silyl derivatives of asymmetrical dimethylhydrazine: (CH3)2HSiNHN(CH3)2 (DMDMSH) and Me2Si(NHNMe2)2 (bisDMHDMS). The results demonstrate that the films contain only Si-C, Si-N, and C(sp3)-N bonds, in relative amounts that depend on the molecular structure of the precursor and deposition conditions. The Si-C/[Si-N + C(sp3)-N] ratio is considerably larger in the films grown from DMDMSH. The data obtained by a variety of spectroscopic techniques provide solid evidence that some of the films contain C(sp3)-N bonds, characteristic of superhard materials, and that the films have a complex, framework structure, rather than being a mixture of Si3N4, SiC, and C3N4. The structure of the films depends on the N : Si ratio in the precursor: at N : Si = 2, the films are amorphous and contain nanocrystalline inclusions with a tetragonal structure; at N : Si = 4, the films are purely amorphous. The ability to control the chemical composition and structure of deposits allowed us to produce films with various physicochemical and electrical properties.
Библиографическая ссылка:
Smirnova T.P.
, Badalyan A.M.
, Borisov V.O.
, Kaichev V.V.
, Bakhturova L.F.
, Kichai V.N.
, Rakhlin V.I.
, Shainyan B.A.
Plasma Deposition and Properties of Silicon Carbonitride Films
Inorganic Materials. 2005. V.41. N7. P.706-712. DOI: 10.1007/s10789-005-0195-9 WOS Scopus РИНЦ
Plasma Deposition and Properties of Silicon Carbonitride Films
Inorganic Materials. 2005. V.41. N7. P.706-712. DOI: 10.1007/s10789-005-0195-9 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная:
Смирнова Т.П.
, Бадалян А.М.
, Борисов В.О.
, Каичев В.В.
, Бахтурова Л.Ф.
, Кичай В.Н.
, Рахлин В.И.
, Шаинян Б.А.
Плазмохимический синтез и свойства пленок карбонитрида кремния
Неорганические материалы. 2005. Т.41. №7. С.808-815. RSCI РИНЦ
Плазмохимический синтез и свойства пленок карбонитрида кремния
Неорганические материалы. 2005. Т.41. №7. С.808-815. RSCI РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 7 февр. 2005 г. |
Опубликована в печати: | 1 июл. 2005 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000231194900008 |
Scopus | 2-s2.0-23444434516 |
РИНЦ | 13478255 |
Chemical Abstracts | 2005:668642 |
Chemical Abstracts (print) | 144:297223 |
OpenAlex | W2033682533 |