Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 Oct 2013