Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Разделы:

  • Статьи
  • Книги
  • Доклады на конференциях
  • Тезисы докладов
  • Патенты

Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния. Доклады на конференциях

Язык Русский
Тип доклада Стендовый
Конференция XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 окт. 2013 , Российская конференция, Новосибирск
Авторы Голяшов Владимир А. 1,2 , Преображенский Валерий Владимирович 2 , Путято Михаил Альбертович 2 , Семягин Борис Рэмович 2 , Дмитриев Дмитрий Владимирович 2 , Торопов Александр Иванович 2 , Валишева Наталья Александровна 2 , Просвирин Игорь Петрович 3 , Калинкин Александр Васильевич 3 , Бакулин Александр Викторович 4 , Кулькова Светлана Евгеньевна 4 , Терещенко Олег Евгеньевич 1,2
Организации
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
3 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
4 Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
Библиографическая ссылка: Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 Oct 2013