XAFS - исследование наноструктур Ge и GaAs, локализованных в упорядоченных порах оксидного темплата. - Доклады на конференциях

XAFS - исследование наноструктур Ge и GaAs, локализованных в упорядоченных порах оксидного темплата. Доклады на конференциях

Язык

Русский

Тип доклада

Стендовый

Url доклада

Конференция

I Всероссийская научная Интернет - конференция с международным участием «Спектрометрические методы анализа»
26-26 сент. 2013 , Российская конференция, Казань

Авторы

Кривенцов Владимир Владимирович

¹ , Валеев Ришат Галеевич

^2,3 , Бельтюков Артемий Николаевич

^2,3 , Мухгалин Владислав Викторович ² , Романов Эдуард Андреевич ² , Максимовский Евгений Анатольевич

⁴ , Якимчук Евгений Петрович

¹ , Новгородов Борис Николаевич

¹ , Мезенцев Николай Александрович ⁵

Организации

1	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
2	Физико-технический институт УрО РАН
3	Удмуртский государственный университет
4	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
5	Институт ядерной физики имени Г.И. Будкера СО РАН

Кривенцов В.В. , Валеев Р.Г. , Бельтюков А.Н. , Мухгалин В.В. , Романов Э.А. , Максимовский Е.А. , Якимчук Е.П. , Новгородов Б.Н. , Мезенцев Н.А.
XAFS - исследование наноструктур Ge и GaAs, локализованных в упорядоченных порах оксидного темплата.
I Всероссийская научная Интернет - конференция с международным участием «Спектрометрические методы анализа» 26-26 Sep 2013