Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Журавлев Константин Сергеевич

Внешние ссылки

РИНЦ ID: 19003

Аффилиации

# Название Период Количество
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН grid.450314.7 2016 - 2018 4
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет grid.4605.7 2017 - 2018 3

Научная деятельность

Статьи в журналах - 3

Статьи в журналах (3) Подробнее

1 Chistokhin I.B. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Dmitriev D.V. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014 WOS Scopus РИНЦ
2 Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P.
AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors
Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ
3 Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 RSCI РИНЦ