Журавлев Константин Сергеевич
# |
Название |
Период |
Количество |
1 |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
2016 - 2018
|
4
|
2 |
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
|
2017 - 2018
|
3
|
Статьи в журналах - 3
Статьи в журналах (3)
Подробнее
1
|
Chistokhin I.B.
,
Aksenov M.S.
,
Valisheva N.A.
,
Dmitriev D.V.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018.
V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Zhuravlev K.S.
,
Malin T.V.
,
Mansurov V.G.
,
Tereshenko O.E.
,
Abgaryan K.K.
,
Reviznikov D.L.
,
Zemlyakov V.E.
,
Egorkin V.I.
,
Parnes Y.M.
,
Tikhomirov V.G.
,
Prosvirin I.P.
AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors
Semiconductors. 2017.
V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Журавлев К.С.
,
Малин Т.В.
,
Мансуров В.Г.
,
Терещенко О.Е.
,
Абгарян К.К.
,
Ревизников Д.Л.
,
Земляков В.Е.
,
Егоркин В.И.
,
Парнес Я.М.
,
Тихомиров В.Г.
,
Просвирин И.П.
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
Физика и техника полупроводников. 2017.
Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
RSCI
РИНЦ
|