Журавлев Константин Сергеевич

РИНЦ ID: 19003

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2016 - 2018	4
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2017 - 2018	3

Статьи в журналах - 3

1	Chistokhin I.B. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Dmitriev D.V. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Zhuravlev K.S. Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014 WOS Scopus РИНЦ
2	Zhuravlev K.S. , Malin T.V. , Mansurov V.G. , Tereshenko O.E. , Abgaryan K.K. , Reviznikov D.L. , Zemlyakov V.E. , Egorkin V.I. , Parnes Y.M. , Tikhomirov V.G. , Prosvirin I.P. AlN/GaN Heterostructures for Normally-Off Transistors Semiconductors. 2017. V.51. N3. P.379-386. DOI: 10.1134/S1063782617030277 WOS Scopus РИНЦ
3	Журавлев К.С. , Малин Т.В. , Мансуров В.Г. , Терещенко О.Е. , Абгарян К.К. , Ревизников Д.Л. , Земляков В.Е. , Егоркин В.И. , Парнес Я.М. , Тихомиров В.Г. , Просвирин И.П. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов Физика и техника полупроводников. 2017. Т.51. №3. С.395-402. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 RSCI РИНЦ