Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Валишева Наталья Александровна

Внешние ссылки

РИНЦ ID: 171875

Аффилиации

# Название Период Количество
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН grid.450314.7 2008 - 2019 13
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет grid.4605.7 2013 2
3 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН grid.425759.8 1980 2

Научная деятельность

Статьи в журналах - 9 , Тезисы докладов - 3 , Доклады на конференциях - 2

Статьи в журналах (9) Подробнее

1 Aksenov M.S. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Dmitriev D.V. , Nedomolkina A.A. , Valisheva N.A.
Anodic Layer Formation on the InAlAs Surface in Townsend Gas-Discharge Plasma
Materials Science in Semiconductor Processing. 2019. V.102. 104611 :1-5. DOI: 10.1016/j.mssp.2019.104611 WOS Scopus РИНЦ
2 Chistokhin I.B. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Dmitriev D.V. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014 WOS Scopus РИНЦ
3 Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E.
InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge
Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
4 Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E.
Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation
Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
5 Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
6 Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ
7 Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Levtsova T.A. , Rodjakina E.E. , Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010. V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100 WOS Scopus РИНЦ
8 Захарчук Н.Ф. , Валишева Н.А. , Лелькин К.П. , Смирнова Т.П. , Юделевич И.Г. , Белый В.И. , Зенковец Г.А.
Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом вольтамперметрии на угольно-пастовом электроде. II. Электропревращение окислов сурьмы
Известия Сибирского отделения Академии наук СССР. Серия химических наук. 1980. №2. С.45-53. РИНЦ
9 Захарчук Н.Ф. , Валишева Н.А. , Лелькин К.П. , Смирнова Т.П. , Юделевич И.Г. , Белый В.И. , Зенковец Г.А.
Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом вольтамперметрии на угольно-пастовом электроде. I. Электропревращения сурьмы и некоторые соединения сурьмы с индием (InSb, InSbO4)
Известия Сибирского отделения Академии наук СССР. Серия химических наук. 1980. №2. С.39-45. РИНЦ

Тезисы докладов (3) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур. 2014. – C.72.
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
3 Черков А.Г. , Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. , Левцова Т.А.
Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111)
Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т.10. №1-2. С.204-206. РИНЦ

Доклады на конференциях (2) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур 15-18 сент. 2014
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013