1
|
Aksenov M.S.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Dmitriev D.V.
,
Nedomolkina A.A.
,
Valisheva N.A.
Anodic Layer Formation on the InAlAs Surface in Townsend Gas-Discharge Plasma
Materials Science in Semiconductor Processing. 2019.
V.102. 104611
:1-5. DOI: 10.1016/j.mssp.2019.104611
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Chistokhin I.B.
,
Aksenov M.S.
,
Valisheva N.A.
,
Dmitriev D.V.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018.
V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Aksenov M.S.
,
Kokhanovskii A.Y.
,
Polovodov P.A.
,
Devyatova S.F.
,
Golyashov V.A.
,
Kozhukhov A.S.
,
Prosvirin I.P.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Gutakovskii A.K.
,
Valisheva N.A.
,
Tereshсhenko O.E.
InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge
Applied Physics Letters. 2015.
V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Valisheva N.A.
,
Aksenov M.S.
,
Golyashov V.A.
,
Levtsova T.A.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Kalinkin A.V.
,
Prosvirin I.P.
,
Bukhtiyarov V.I.
,
Tereshchenko O.E.
Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation
Applied Physics Letters. 2014.
V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137
WOS
Scopus
РИНЦ
|
5
|
Валишева Н.А.
,
Терещенко О.Е.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Голяшов В.А.
,
Левцова Т.А.
,
Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава.
Физика и техника полупроводников. 2012.
Т.46. №4. С.569-575.
РИНЦ
|
6
|
Valisheva N.A.
,
Tereshchenko O.E.
,
Prosvirin I.P.
,
Kalinkin A.V.
,
Goljashov V.A.
,
Levtzova T.A.
,
Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition
Semiconductors. 2012.
V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239
WOS
Scopus
РИНЦ
|
7
|
Valisheva N.A.
,
Tereshchenko O.E.
,
Prosvirin I.P.
,
Levtsova T.A.
,
Rodjakina E.E.
,
Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010.
V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100
WOS
Scopus
РИНЦ
|
8
|
Захарчук Н.Ф.
,
Валишева Н.А.
,
Лелькин К.П.
,
Смирнова Т.П.
,
Юделевич И.Г.
,
Белый В.И.
,
Зенковец Г.А.
Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом вольтамперметрии на угольно-пастовом электроде. II. Электропревращение окислов сурьмы
Известия Сибирского отделения Академии наук СССР. Серия химических наук. 1980.
№2. С.45-53.
РИНЦ
|
9
|
Захарчук Н.Ф.
,
Валишева Н.А.
,
Лелькин К.П.
,
Смирнова Т.П.
,
Юделевич И.Г.
,
Белый В.И.
,
Зенковец Г.А.
Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом вольтамперметрии на угольно-пастовом электроде. I. Электропревращения сурьмы и некоторые соединения сурьмы с индием (InSb, InSbO4)
Известия Сибирского отделения Академии наук СССР. Серия химических наук. 1980.
№2. С.39-45.
РИНЦ
|