Голяшов Владимир Андреевич

Внешние ссылки

ORCID: 0000-0003-2482-607X

Scopus ID: 52163534400

РИНЦ ID: 978964

ResearcherID: V-1691-2017

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2013 - 2022	33
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2011 - 2022	22
3	Центр коллективного пользования "Сибирский кольцевой источник фотонов"	2022	8
4	Санкт-Петербургский государственный университет	2017 - 2018	2

Научная деятельность

Статьи в журналах - 31 , Тезисы докладов - 3 , Доклады на конференциях - 5

Статьи в журналах (31) Подробнее

1	Khatchenko Y.E. , Yakushev M.V. , Seibel C. , Bentmann H. , Orlita M. , Golyashov V. , Ponosov Y.S. , Stepina N.P. , Mudriy A.V. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. , Reinert F. , Martin R.W. , Kuznetsova T.V. Structural, Optical and Electronic Properties of the Wide Bandgap Topological Insulator Bi1.1Sb0.9Te2S Journal of Alloys and Compounds. 2022. V.890. 161824 :1-6. DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161824 WOS Scopus
2	Stepina N.P. , Golyashov V.A. , Nenashev A.V. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Kirienko V.V. , Koptev E.S. , Goldyreva E.S. , Rybin M.G. , Obraztsova E.D. , Antonova I.V. Weak Antilocalization to Weak Localization Transition in Bi2Se3 Films on Graphene Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2022. V.135. 114969 :1-5. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969 Scopus
3	Глазкова Д.А. , Естюнин Д.А. , Климовских И.И. , Макарова Т.П. , Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Голяшов В.А. , Королева А.В. , Шикин А.М. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-XSbX)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №5-6 (3). С.315-321. DOI: 10.31857/S1234567822050081 РИНЦ
4	Kumar N. , Nezhdanov A.V. , Smertin R.M. , Polkovnikov V.N. , Chkhalo N.I. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. A Volume Plasmon Blueshift in Thin Silicon Films Embedded within Be/Si Periodic Multilayer Mirrors PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2022. V.24. N26. P.15951-15957. DOI: 10.1039/d2cp01697d WOS Scopus РИНЦ
5	Glazkova D.A. , Estyunin D.A. , Klimovskikh I.I. , Makarova T.P. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Golyashov V.A. , Koroleva A.V. , Shikin A.M. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. P.286–291. DOI: 10.1134/S0021364022100083 Scopus
6	Antonova I.V. , Kokh K.A. , Nebogatikova N.A. , Suprun E.A. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Bi2Se3 Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene Crystal Growth and Design. 2022. V.22. N9. P.5335–5344. DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00431 Scopus
7	Gorshkov D.V. , Zakirov E.R. , Sidorov G.Y. , Sabinina I.V. , Marin D.V. , Ikusov D.G. , Yakushev M.V. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Study of MIS Structures Based on CdHgTe and HfO2 Applied by PEALD Applied Physics Letters. 2022. V.121. N8. 081602 :1-5. DOI: 10.1063/5.0096133 Scopus
8	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Rusetsky V.S. , Mironov A.V. , Demin A.Y. , Aksenov V.V. A New Imaging Concept in Spin Polarimetry Based on the Spin-Filter Effect Journal of Synchrotron Radiation. 2021. V.28. N3. P.864-875. DOI: 10.1107/s1600577521002307 WOS Scopus
9	Tarasov A.S. , Ishchenko D.V. , Akhundov I.O. , Golyashov V.A. , Klimov A.E. , Suprun S.P. , Fedosenko E.V. , Sherstyakova V.N. , Rybkin A.G. , Vilkov O.Y. , Tereshchenko O.E. Surface Chemical Treatment Effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological Crystalline Insulator Films Applied Surface Science. 2021. V.569. 150930 :1-6. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930 WOS Scopus
10	Kaveev A.K. , Suturin S.M. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Eremeev S.V. , Estyunin D.A. , Shikin A.M. , Okotrub A.V. , Lavrov A.N. , Schwier E.F. , Tereshchenko O.E. Band Gap Opening in the BiSbTeSe2 Topological Surface State Induced by Ferromagnetic Surface Reordering Physical Review Materials. 2021. V.5. N12. 124204 :1-11. DOI: 10.1103/physrevmaterials.5.124204 Scopus
11	Русецкий В.С. , Голяшов В.А. , Миронов А.В. , Демин А.Ю. , Терещенко О.Е. Фотоэмиссионные свойства мультищелочного фотокатода Автометрия. 2021. Т.57. №5. С.70-76. DOI: 10.15372/aut20210508
12	Antonova I.V. , Nebogatikova N.A. , Stepina N.P. , Volodin V.A. , Kirienko V.V. , Rybin M.G. , Obrazstova E.D. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Tereshchenko O.E. Growth of Bi2Se3/graphene Heterostructures with the Room Temperature High Carrier Mobility Journal of Materials Science. 2021. V.56. N15. P.9330-9343. DOI: 10.1007/s10853-021-05836-y Scopus
13	Rusetsky V.S. , Golyashov V.A. , Mironov A.V. , Demin A.Y. , Tereshchenko O.E. Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2021. V.57. N5. P.505-510. DOI: 10.3103/S8756699021050149 Scopus
14	Zhevstovskikh I.V. , Averkiev N.S. , Sarychev M.N. , Semenova O.I. , Golyashov V.A. , Tereshchenko O.E. Correlation of Elastic and Optoelectronic Properties Near Structural Phase Transition in Organic–Inorganic Lead Iodide Perovskite Single Crystals Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V.33. N4. 045403 :1-10. DOI: 10.1088/1361-648x/abb9bb Scopus
15	Golyashov V.A. , Rusetsky V.S. , Shamirzaev T.S. , Dmitriev D.V. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. , Tereshchenko O.E. Spectral Detection of Spin-Polarized Ultra Low-Energy Electrons in Semiconductor Heterostructures Ultramicroscopy. 2020. V.218. 113076 :1-8. DOI: 10.1016/j.ultramic.2020.113076 Scopus
16	Kokh K.A. , Nebogatikova N.A. , Antonova I.V. , Kustov D.A. , Golyashov V.A. , Goldyreva E.S. , Stepina N.P. , Kirienko V.V. , Tereshchenko O.E. Vapor Growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se Crystals on Mica Materials Research Bulletin. 2020. V.129. 110906 :1-6. DOI: 10.1016/j.materresbull.2020.110906 Scopus
17	Kaveev A.K. , Sokolov N.S. , Suturin S.M. , Zhiltsov N.S. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Prosvirin I.P. , Tereshchenko O.E. , Sawada M. Crystalline Structure and Magnetic Properties of Structurally Ordered Cobalt–Iron Alloys Grown on Bi-Containing Topological Insulators and Systems with Giant Rashba Splitting CrystEngComm. 2018. V.20. N24. P.3419-3427. DOI: 10.1039/c8ce00326b WOS Scopus РИНЦ
18	Fiedler S. , Eremeev S.V. , Golyashov V.A. , Kaveev A.K. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Chulkov E.V. , Bentmann H. , Reinert F. Topological States Induced by Local Structural Modification of the Polar BiTeI(0001) Surface New Journal of Physics. 2018. V.20. 063035 :1-7. DOI: 10.1088/1367-2630/aac75e Scopus
19	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Rodionov A.A. , Chistokhin I.B. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. Solar Energy Converters Based on Multi-Junction Photoemission Solar Cells Scientific Reports. 2017. V.7. 16154 :1-9. DOI: 10.1038/s41598-017-16455-6 Scopus
20	Klimovskikh I.I. , Shikin A.M. , Otrokov M.M. , Ernst A. , Rusinov I.P. , Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Sánchez-Barriga J. , Varykhalov A.Y. , Rader O. , Kokh K.A. , Chulkov E.V. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study Scientific Reports. 2017. V.7. 3353 :1-8. DOI: 10.1038/s41598-017-03507-0 Scopus
21	Rodionov A.A. , Golyashov V.A. , Chistokhin I.B. , Jaroshevich A.S. , Derebezov I.A. , Haisler V.A. , Shamirzaev T.S. , Marakhovka I.I. , Kopotilov A.V. , Kislykh N.V. , Mironov A.V. , Aksenov V.V. , Tereshchenko O.E. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes Physical Review Applied (PRApplied). 2017. V.8. N3. 034026 :1-8. DOI: 10.1103/physrevapplied.8.034026 Scopus
22	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Loshkarev I.D. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshchenko O.E. Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ
23	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
24	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
25	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
26	Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Makarenko S.V. , Romanyuk K.N. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Tereshchenko O.E. , Kozhukhov A.S. , Sheglov D.V. , Eremeev S.V. , Borisova S.D. , Chulkov E.V. Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Applied Physics. 2012. V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458 WOS Scopus РИНЦ
27	Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И. Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
28	Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I. Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ
29	Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ
30	Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A. Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ
31	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshhenko O.E. Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface Crystal Growth and Design. 2011. V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (3) Подробнее

1	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов. 2014. – C.72.
2	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
3	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolʹkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovskij L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. В сборнике Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум". 2012. – C.15-16.

Доклады на конференциях (5) Подробнее

1	Терещенко О.Е. , Голяшов В.А. , Николенко А.Д. , Бухтияров А.В. , Зубавичус Я.В. Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротронном источнике СКИФ Нанофизика и наноэлектроника : XXVI Международный симпозиум 14-17 мар. 2022
2	Терещенко О.Е. , Голяшов В.А. , Бухтияров А.В. , Зубавичус Я.В. Фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 14-19 февр. 2022
3	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 сент. 2014
4	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013
5	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovskij L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум" 09-13 Jul 2012