Научная деятельность
Статьи в журналах (33) Подробнее
| 1 |
Gorshkov D.V.
, Zakirov E.R.
, Sidorov G.Y.
, Sabinina I.V.
, Marin D.V.
, Ikusov D.G.
, Yakushev M.V.
, Golyashov V.A.
, Tereshchenko O.E.
Study of MIS Structures Based on CdHgTe and HfO2 Applied by PEALD Applied Physics Letters. 2022. V.121. N8. 081602 :1-5. DOI: 10.1063/5.0096133 Scopus |
| 2 |
Kumar N.
, Nezhdanov A.V.
, Smertin R.M.
, Polkovnikov V.N.
, Chkhalo N.I.
, Golyashov V.A.
, Tereshchenko O.E.
A Volume Plasmon Blueshift in Thin Silicon Films Embedded within Be/Si Periodic Multilayer Mirrors PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2022. V.24. N26. P.15951-15957. DOI: 10.1039/d2cp01697d WOS Scopus РИНЦ |
| 3 |
Rusetsky V.S.
, Golyashov V.A.
, Eremeev S.V.
, Kustov D.A.
, Rusinov I.P.
, Shamirzaev T.S.
, Mironov A.V.
, Demin A.Y.
, Tereshchenko O.E.
New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode Physical Review Letters. 2022. V.129. N16. 166802 :1-13. DOI: 10.1103/physrevlett.129.166802 |
| 4 |
Glazkova D.A.
, Estyunin D.A.
, Klimovskikh I.I.
, Makarova T.P.
, Tereshchenko O.E.
, Kokh K.A.
, Golyashov V.A.
, Koroleva A.V.
, Shikin A.M.
Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. P.286–291. DOI: 10.1134/S0021364022100083 WOS Scopus |
| 5 |
Khatchenko Y.E.
, Yakushev M.V.
, Seibel C.
, Bentmann H.
, Orlita M.
, Golyashov V.
, Ponosov Y.S.
, Stepina N.P.
, Mudriy A.V.
, Kokh K.A.
, Tereshchenko O.E.
, Reinert F.
, Martin R.W.
, Kuznetsova T.V.
Structural, Optical and Electronic Properties of the Wide Bandgap Topological Insulator Bi1.1Sb0.9Te2S Journal of Alloys and Compounds. 2022. V.890. 161824 :1-6. DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161824 WOS Scopus |
| 6 |
Глазкова Д.А.
, Естюнин Д.А.
, Климовских И.И.
, Рыбкина А.А.
, Головчанский И.А.
, Терещенко О.Е.
, Кох К.А.
, Щетинин И.В.
, Голяшов В.А.
, Шикин А.М.
Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах MN(BI,SB)2TE4 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.116. №11-12. С.793-800. DOI: 10.31857/S1234567822230082 РИНЦ |
| 7 |
Глазкова Д.А.
, Естюнин Д.А.
, Климовских И.И.
, Макарова Т.П.
, Терещенко О.Е.
, Кох К.А.
, Голяшов В.А.
, Королева А.В.
, Шикин А.М.
Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-XSbX)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №5-6 (3). С.315-321. DOI: 10.31857/S1234567822050081 РИНЦ |
| 8 |
Stepina N.P.
, Golyashov V.A.
, Nenashev A.V.
, Tereshchenko O.E.
, Kokh K.A.
, Kirienko V.V.
, Koptev E.S.
, Goldyreva E.S.
, Rybin M.G.
, Obraztsova E.D.
, Antonova I.V.
Weak Antilocalization to Weak Localization Transition in Bi2Se3 Films on Graphene Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2022. V.135. 114969 :1-5. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969 WOS Scopus |
| 9 |
Antonova I.V.
, Kokh K.A.
, Nebogatikova N.A.
, Suprun E.A.
, Golyashov V.A.
, Tereshchenko O.E.
Bi2Se3 Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene Crystal Growth and Design. 2022. V.22. N9. P.5335–5344. DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00431 WOS Scopus РИНЦ |
| 10 |
Zhevstovskikh I.V.
, Averkiev N.S.
, Sarychev M.N.
, Semenova O.I.
, Golyashov V.A.
, Tereshchenko O.E.
Correlation of Elastic and Optoelectronic Properties Near Structural Phase Transition in Organic–Inorganic Lead Iodide Perovskite Single Crystals Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V.33. N4. 045403 :1-10. DOI: 10.1088/1361-648x/abb9bb WOS Scopus |
| 11 |
Tereshchenko O.E.
, Golyashov V.A.
, Rusetsky V.S.
, Mironov A.V.
, Demin A.Y.
, Aksenov V.V.
A New Imaging Concept in Spin Polarimetry Based on the Spin-Filter Effect Journal of Synchrotron Radiation. 2021. V.28. N3. P.864-875. DOI: 10.1107/s1600577521002307 WOS Scopus |
| 12 |
Tarasov A.S.
, Ishchenko D.V.
, Akhundov I.O.
, Golyashov V.A.
, Klimov A.E.
, Suprun S.P.
, Fedosenko E.V.
, Sherstyakova V.N.
, Rybkin A.G.
, Vilkov O.Y.
, Tereshchenko O.E.
Surface Chemical Treatment Effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological Crystalline Insulator Films Applied Surface Science. 2021. V.569. 150930 :1-6. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930 WOS Scopus |
| 13 |
Kaveev A.K.
, Suturin S.M.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Eremeev S.V.
, Estyunin D.A.
, Shikin A.M.
, Okotrub A.V.
, Lavrov A.N.
, Schwier E.F.
, Tereshchenko O.E.
Band Gap Opening in the BiSbTeSe2 Topological Surface State Induced by Ferromagnetic Surface Reordering Physical Review Materials. 2021. V.5. N12. 124204 :1-11. DOI: 10.1103/physrevmaterials.5.124204 WOS Scopus |
| 14 |
Русецкий В.С.
, Голяшов В.А.
, Миронов А.В.
, Демин А.Ю.
, Терещенко О.Е.
Фотоэмиссионные свойства мультищелочного фотокатода Автометрия. 2021. Т.57. №5. С.70-76. DOI: 10.15372/aut20210508 |
| 15 |
Antonova I.V.
, Nebogatikova N.A.
, Stepina N.P.
, Volodin V.A.
, Kirienko V.V.
, Rybin M.G.
, Obrazstova E.D.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Tereshchenko O.E.
Growth of Bi2Se3/graphene Heterostructures with the Room Temperature High Carrier Mobility Journal of Materials Science. 2021. V.56. N15. P.9330-9343. DOI: 10.1007/s10853-021-05836-y WOS Scopus |
| 16 |
Rusetsky V.S.
, Golyashov V.A.
, Mironov A.V.
, Demin A.Y.
, Tereshchenko O.E.
Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2021. V.57. N5. P.505-510. DOI: 10.3103/S8756699021050149 Scopus |
| 17 |
Kokh K.A.
, Nebogatikova N.A.
, Antonova I.V.
, Kustov D.A.
, Golyashov V.A.
, Goldyreva E.S.
, Stepina N.P.
, Kirienko V.V.
, Tereshchenko O.E.
Vapor Growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se Crystals on Mica Materials Research Bulletin. 2020. V.129. 110906 :1-6. DOI: 10.1016/j.materresbull.2020.110906 Scopus |
| 18 |
Golyashov V.A.
, Rusetsky V.S.
, Shamirzaev T.S.
, Dmitriev D.V.
, Kislykh N.V.
, Mironov A.V.
, Aksenov V.V.
, Tereshchenko O.E.
Spectral Detection of Spin-Polarized Ultra Low-Energy Electrons in Semiconductor Heterostructures Ultramicroscopy. 2020. V.218. 113076 :1-8. DOI: 10.1016/j.ultramic.2020.113076 Scopus |
| 19 |
Fiedler S.
, Eremeev S.V.
, Golyashov V.A.
, Kaveev A.K.
, Tereshchenko O.E.
, Kokh K.A.
, Chulkov E.V.
, Bentmann H.
, Reinert F.
Topological States Induced by Local Structural Modification of the Polar BiTeI(0001) Surface New Journal of Physics. 2018. V.20. 063035 :1-7. DOI: 10.1088/1367-2630/aac75e Scopus |
| 20 |
Kaveev A.K.
, Sokolov N.S.
, Suturin S.M.
, Zhiltsov N.S.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Prosvirin I.P.
, Tereshchenko O.E.
, Sawada M.
Crystalline Structure and Magnetic Properties of Structurally Ordered Cobalt–Iron Alloys Grown on Bi-Containing Topological Insulators and Systems with Giant Rashba Splitting CrystEngComm. 2018. V.20. N24. P.3419-3427. DOI: 10.1039/c8ce00326b WOS Scopus РИНЦ |
| 21 |
Tereshchenko O.E.
, Golyashov V.A.
, Rodionov A.A.
, Chistokhin I.B.
, Kislykh N.V.
, Mironov A.V.
, Aksenov V.V.
Solar Energy Converters Based on Multi-Junction Photoemission Solar Cells Scientific Reports. 2017. V.7. 16154 :1-9. DOI: 10.1038/s41598-017-16455-6 Scopus |
| 22 |
Klimovskikh I.I.
, Shikin A.M.
, Otrokov M.M.
, Ernst A.
, Rusinov I.P.
, Tereshchenko O.E.
, Golyashov V.A.
, Sánchez-Barriga J.
, Varykhalov A.Y.
, Rader O.
, Kokh K.A.
, Chulkov E.V.
Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study Scientific Reports. 2017. V.7. 3353 :1-8. DOI: 10.1038/s41598-017-03507-0 Scopus |
| 23 |
Rodionov A.A.
, Golyashov V.A.
, Chistokhin I.B.
, Jaroshevich A.S.
, Derebezov I.A.
, Haisler V.A.
, Shamirzaev T.S.
, Marakhovka I.I.
, Kopotilov A.V.
, Kislykh N.V.
, Mironov A.V.
, Aksenov V.V.
, Tereshchenko O.E.
Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes Physical Review Applied (PRApplied). 2017. V.8. N3. 034026 :1-8. DOI: 10.1103/physrevapplied.8.034026 Scopus |
| 24 |
Atuchin V.V.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Korolkov I.V.
, Kozhukhov A.S.
, Kruchinin V.N.
, Loshkarev I.D.
, Pokrovsky L.D.
, Prosvirin I.P.
, Romanyuk K.N.
, Tereshchenko O.E.
Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ |
| 25 |
Aksenov M.S.
, Kokhanovskii A.Y.
, Polovodov P.A.
, Devyatova S.F.
, Golyashov V.A.
, Kozhukhov A.S.
, Prosvirin I.P.
, Khandarkhaeva S.E.
, Gutakovskii A.K.
, Valisheva N.A.
, Tereshсhenko O.E.
InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. 173501 :1-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ |
| 26 |
Tereshchenko O.E.
, Golyashov V.A.
, Eremeev S.V.
, Maurin I.
, Bakulin A.V.
, Kulkova S.E.
, Aksenov M.S.
, Preobrazhenskii V.V.
, Putyato M.A.
, Semyagin B.R.
, Dmitriev D.V.
, Toropov A.I.
, Gutakovskii A.K.
, Khandarkhaeva S.E.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Bukhtiyarov V.I.
, Latyshev A.V.
Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ |
| 27 |
Valisheva N.A.
, Aksenov M.S.
, Golyashov V.A.
, Levtsova T.A.
, Kovchavtsev A.P.
, Gutakovskii A.K.
, Khandarkhaeva S.E.
, Kalinkin A.V.
, Prosvirin I.P.
, Bukhtiyarov V.I.
, Tereshchenko O.E.
Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ |
| 28 |
Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Makarenko S.V.
, Romanyuk K.N.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Tereshchenko O.E.
, Kozhukhov A.S.
, Sheglov D.V.
, Eremeev S.V.
, Borisova S.D.
, Chulkov E.V.
Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator 
Journal of Applied Physics. 2012.
V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458
WOS
Scopus
РИНЦ
|
| 29 |
Valisheva N.A.
, Tereshchenko O.E.
, Prosvirin I.P.
, Kalinkin A.V.
, Goljashov V.A.
, Levtzova T.A.
, Bukhtiyarov V.I.
Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ |
| 30 |
Валишева Н.А.
, Терещенко О.Е.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Голяшов В.А.
, Левцова Т.А.
, Бухтияров В.И.
Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ |
| 31 |
Atuchin V.V.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Korolkov I.V.
, Kozhukhov A.S.
, Kruchinin V.N.
, Makarenko S.V.
, Pokrovsky L.D.
, Prosvirin I.P.
, Romanyuk K.N.
, Tereshhenko O.E.
Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface Crystal Growth and Design. 2011. V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v WOS Scopus РИНЦ |
| 32 |
Терещенко О.Е.
, Кох К.А.
, Атучин В.В.
, Романюк К.Н.
, Макаренко С.В.
, Голяшов В.А.
, Кожухов А.С.
, Просвирин И.П.
, Шкляев А.А.
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ |
| 33 |
Tereshchenko O.E.
, Kokh K.A.
, Atuchin V.V.
, Romanyuk K.N.
, Makarenko S.V.
, Golyashov V.A.
, Kozhukhov A.S.
, Prosvirin I.P.
, Shklyaev A.A.
Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ |
Статьи в сборниках (1) Подробнее
| 1 |
Бухтияров А.В.
, Николенко А.Д.
, Терещенко О.Е.
, Шаворский А.А.
, Просвирин И.П.
, Квон Р.И.
, Голяшов В.А.
, Панафидин М.А.
, Четырин И.А.
, Ощепков А.Г.
, Золотарев К.В.
, Шикин А.М.
, Рыбкин А.Г.
, Петров В.Н.
, Саранин А.А.
, Кузнецова Т.В.
, Кузнецов М.В.
, Окотруб А.В.
, Асанов И.П.
, Асанова Т.И.
, Михлин Ю.Л.
, Зубавичус Я.В.
, Бухтияров В.И.
Концептуальный дизайн станции 1-6 «Электронная структура» ЦКП «СКИФ» ИК СО РАН В сборнике Технологическая инфраструктура Сибирского кольцевого источника фотонов «СКИФ». Том 1. Экспериментальные станции первой очереди и Лабораторный комплекс. – ИК СО РАН., 2022. – Т.1. – C.227-287. – ISBN 9785906376411. РИНЦ |
Тезисы докладов (6) Подробнее
| 1 |
Феклистов К.В.
, Лемзяков А.Г.
, Шкляев А.А.
, Комонов А.И.
, Просвирин И.П.
, Гуляев Д.В.
, Абрамкин Д.С.
, Спесивцев Е.В.
, Пугачев А.М.
, Володин В.А.
, Кочубей С.А.
, Ершов К.С.
, Сафронов Л.Н.
, Гутаковский А.К.
, Вдовин В.И.
, Живодков Ю.А.
, Зиновьева А.Ф.
, Голяшов В.А.
, Терещенко О.Е.
Зонная структура гетероперехода Si\In2O3:Er В сборнике КРЕМНИЙ 2022 : Тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Новосибирск, 26-30 сентября 2022 г.. – Издательство «Перо»,., 2022. – C.46. – ISBN 9785002044924. DOI: 10.34077/silicon2022-46 РИНЦ |
| 2 |
Терещенко О.Е.
, Голяшов В.А.
, Бухтияров А.В.
, Зубавичус Я.В.
Фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ В сборнике Электронные свойства низкоразмерных систем. Cтруктура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов. Новые электронные явления и материалы [Текст]: Программа и Тезисы докладов XXIV Уральской международной зимней школы по физике полупроводников. – ИФМ УрО РАН., 2022. – C.236-237. – ISBN 9785604577431. |
| 3 |
Терещенко О.Е.
, Голяшов В.А.
, Николенко А.Д.
, Бухтияров А.В.
, Зубавичус Я.В.
Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротронном источнике СКИФ В сборнике Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. – ННГУ., 2022. – Т.2. – C.1029-1030. – ISBN 9785913267207. |
| 4 |
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов С.Н.
, Аксёнов М.С.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бухтияров В.И.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов. 2014. – C.72. |
| 5 |
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281. |
| 6 |
Atuchin V.V.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Korolʹkov I.V.
, Kozhukhov A.S.
, Kruchinin V.N.
, Makarenko S.V.
, Pokrovskij L.D.
, Prosvirin I.P.
, Romanyuk K.N.
Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. В сборнике Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум". 2012. – C.15-16. |
Доклады на конференциях (5) Подробнее
| 1 |
Терещенко О.Е.
, Голяшов В.А.
, Николенко А.Д.
, Бухтияров А.В.
, Зубавичус Я.В.
Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротронном источнике СКИФ Нанофизика и наноэлектроника : XXVI Международный симпозиум 14-17 мар. 2022 |
| 2 |
Терещенко О.Е.
, Голяшов В.А.
, Бухтияров А.В.
, Зубавичус Я.В.
Фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 14-19 февр. 2022 |
| 3 |
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов С.Н.
, Аксёнов М.С.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бухтияров В.И.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 сент. 2014 |
| 4 |
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013 |
| 5 |
Atuchin V.V.
, Golyashov V.A.
, Kokh K.A.
, Korolkov I.V.
, Kozhukhov A.S.
, Kruchinin V.N.
, Makarenko S.V.
, Pokrovskij L.D.
, Prosvirin I.P.
, Romanyuk K.N.
Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум" 09-13 Jul 2012 |
ORCID:
Scopus ID:
РИНЦ ID:
ResearcherID: