Голяшов Владимир А. | Sciact - CRIS-система Института катализа - публикации, сотрудники

Голяшов Владимир А.

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2013 - 2018	7
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2011 - 2016	14

Научная деятельность

Статьи в журналах - 11 , Тезисы докладов - 3 , Доклады на конференциях - 3

Статьи в журналах (11) Подробнее

1	Kaveev A.K. , Sokolov N.S. , Suturin S.M. , Zhiltsov N.S. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Prosvirin I.P. , Tereshchenko O.E. , Sawada M. Crystalline Structure and Magnetic Properties of Structurally Ordered Cobalt–Iron Alloys Grown on Bi-Containing Topological Insulators and Systems with Giant Rashba Splitting CrystEngComm. 2018. V.20. N24. P.3419-3427. DOI: 10.1039/c8ce00326b WOS Scopus РИНЦ
2	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Loshkarev I.D. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshchenko O.E. Crystal Growth of Bi2Te3 and Noble Cleaved (0001) Surface Properties Journal of Solid State Chemistry. 2016. V.236. P.203-208. DOI: 10.1016/j.jssc.2015.07.031 WOS Scopus РИНЦ
3	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
4	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
5	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
6	Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Голяшов В.А. , Левцова Т.А. , Бухтияров В.И. Формирование анодных слоёв на InAs(111). III. Исследование химического состава. Физика и техника полупроводников. 2012. Т.46. №4. С.569-575. РИНЦ
7	Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Makarenko S.V. , Romanyuk K.N. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Tereshchenko O.E. , Kozhukhov A.S. , Sheglov D.V. , Eremeev S.V. , Borisova S.D. , Chulkov E.V. Inertness and Degradation of (0001) Surface of Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Applied Physics. 2012. V.112. N11. P.113702. DOI: 10.1063/1.4767458 WOS Scopus РИНЦ
8	Valisheva N.A. , Tereshchenko O.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Goljashov V.A. , Levtzova T.A. , Bukhtiyarov V.I. Formation of Anodic Layers on InAs (111)III. Study of the Chemical Composition Semiconductors. 2012. V.46. N4. P.552-558. DOI: 10.1134/S1063782612040239 WOS Scopus РИНЦ
9	Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Просвирин И.П. , Шкляев А.А. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т.94. №6. С.500-503. РИНЦ
10	Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Atuchin V.V. , Romanyuk K.N. , Makarenko S.V. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Shklyaev A.A. Stability of the (0001) Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2011. V.94. N6. P.465-468. DOI: 10.1134/S0021364011180159 WOS Scopus РИНЦ
11	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovsky L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. , Tereshhenko O.E. Formation of Inert Bi2Se3(0001) Cleaved Surface Crystal Growth and Design. 2011. V.11. N12. P.5507-5514. DOI: 10.1021/cg201163v WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (3) Подробнее

1	Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов. В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур. 2014. – C.72.
2	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния. В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.
3	Atuchin V.V. , Golyashov V.A. , Kokh K.A. , Korolʹkov I.V. , Kozhukhov A.S. , Kruchinin V.N. , Makarenko S.V. , Pokrovskij L.D. , Prosvirin I.P. , Romanyuk K.N. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. В сборнике Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум". 2012. – C.15-16.

Доклады на конференциях (3) Подробнее

1	Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е. Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов. Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур 15-18 сент. 2014
2	Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е. Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния. XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013
3	Атучин В.В. , Голяшов В.А. , Кох К.А. , Корольков И.В. , Кожухов А.С. , Кручинин В.Н. , Макаренко С.В. , Покровский Л.Д. , Просвирин И.П. , Романюк К.Н. Nanointervention into crystal flatland. I. Micromorphology and chemical stability of Bi2Se3 (0001) cleaved surface. Всероссийская научная конференция с международным участием "Первый Байкальский материаловедческий форум" 09-13 Jul 2012